供应MMS105H低电压开关传感器，优质传感器厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、产品特点：
1.隧道磁电阻 (TMR) 技术
2.双极锁存型开关
3.高灵敏度，低开关点
4.超低功耗
5.宽工作电压范围
6.卓越的温度稳定性
7.极高的频率响应
8.优良的ESD防护性能
二、霍尔式传感器
当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U，其表达式为U=K·I·B/d，其中K为霍尔系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场(洛伦慈力Lorrentz)的磁感应强度，d是薄片的厚度。
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供应液位高度传感器，优质开关传感器厂家
信息内容：一、产品简介： 实际的TMR器件及其制造工艺要远比以上三层膜结构复杂，但是就磁性传感器的应用来讲，我们可以认为TMR传感器就是一个电阻，只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化，其阻值发生改变，并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30～50%，对于氧化镁MgO可达200%，因此其输出相当可观，灵敏度非常高．正是由于TMR的这些优点，TMR已经在硬盘磁头这一对工作稳定性等各项性能要求极高的高精技术领域取代GMR磁头,因此TMR的性能已经经受了最为严格的考验.而随着TMR磁性传感器的大规模应用,其优异的性能将随着其产业化的发展,而渗透到传感器行业方面和应用领域,为最终客户和传感器供应商创造更多的价值和提供更优的技术体验。由于TMR的优异性能，一方面将会为很多传感器应用领域提供全新的技术解决方案，另一方面，也为磁传感器生产企业提供了一个非常好的发展机遇。 二、TMR工作原理 TMR效应利用了电子的自旋特性，电子在通过第二层磁性材料时，电子的自旋方向被定义； 具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO（氧化镁）绝缘层，然后有选择性地穿过磁性层（自旋相同则通过——低电阻，否则不通过——高电阻）； 室温条件下，TMR的电阻变化率（△R/R）...
供应水表专用传感器，优质传感器厂家
信息内容：一、产品简介： 基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结（MTJ, Magnetic Tunnel Junction）。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应（TMR ，Tunneling Magnetoresistance ）。 二、传感器按照其材料为标准分类 在外界因素的作用下，所有材料都会作出相应的、具有特征性的反应。它们中的那些对外界作用最敏感的材料，即那些具有功能特性的材料，被用来制作传感器的敏感元件。从所应用的材料观点出发可将传感器分成下列几类： (1)按照其所用材料的类别分 金属聚合物陶瓷混合物 (2)按材料的物理性质分： 导体绝缘体 半导体磁性材料 心动不如行动...
