价 格: | 面议 | |
型号/规格: | BZX84C3V3CC | |
品牌/商标: | 金誉 | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
反向电压: | | |
反向击穿电流: | |
BZX84C3V3CC稳压二极管特性:
表面材料:硅
封装:SOT-23塑封
应用:蜂窝移动设备、手持式便携仪器等
齐纳击穿电压范围:2.4v~75v
功率损耗:350mW
存储温度范围:-65℃~150℃
BZX84CXXXCC系列稳压二极管参数:
dzsc/18/4315/18431537.jpg
稳压二极管正向使用与反向使用的区别
稳压二极管正向导通使用时,与一般二极管正向导通使用时基本相同,正向导通后两端电压也是基本不变的,都约为0.7V。从理论上讲,稳压二极管也可正向使用做稳压管用,但其稳压值将低于1V,且稳压性能也不好,一般不单独用稳压管的正向导通特性来稳压,而是用反向击穿特性来稳压。反向击穿电压值即为稳压值。有时将两个稳压管串联使用,一个利用它的正向特性,另一个利用它的反向特性,则既能稳压又可起温度补偿作用,以提高稳压效果。
MMBZ5254B稳压二极管特性: 表面材料:硅 封装:SOT-23 功耗:350mW MMBZ52系列稳压二极管的参数(T=25℃,V=0.9v,I=10mA): dzsc/18/4327/18432741.jpg 二极管击穿有哪3种情况? 二极管的击穿通常有三种情况,即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 (1)雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结,结较厚,当外加反向电压高到一定数值时,因外电场过强,使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞,将原子电离,产生新的电子空穴对,由于链锁反应的结果,使少数载流子数目急剧增多,反向电流雪崩式地迅速增大,这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 (2)齐纳击穿 对于采用高掺杂(即杂质浓度很大)形成的PN结,由于结很薄(如0.04μm)即使外加电压并不高(如4V),就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来,产生大量的电子一空穴对,使反向电流剧增,这种现象叫齐纳击穿(因齐纳研究而得名)。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 (3)热击穿 在使用二极管的过程中,如由于PN结功耗(反向电流与反向电压之积)过大,使结温升高,电流变大,循环反复的结果,...
ZM4733稳压二极管特性: 表面材料:硅 封装:MELF 功耗:1W ZM47系列稳压二极管的参数(T=25℃): dzsc/18/4327/18432742.jpg 稳压二极管(齐纳二极管,Zener diode): 是一种专门工作于反向(崩溃,Breakdown)区域的二极管,如有一适量的电流流经此二极管,则其两端点间产生一固定不变的电压,名为:"稳压电压",由于其电压稳定,故被广泛用于稳压电路或用作参考电压源。 天旺科技主要供应:片状二三极管、片状开关、稳压二极管、片状整流、肖特基二极管、片状快恢复二极管、片状场效应、MOS管、片状电容、钽电容系列、低压差稳压IC、电源管理ICLDO。