BZX84C39CC稳压二极管特性：

　　表面材料：硅

　　封装：SOT-23塑封

　　应用：蜂窝移动设备、手持式便携仪器等

　　齐纳击穿电压范围：2.4v~75v

　　功率损耗：350mW

　　存储温度范围：-65℃~150℃

　　BZX84CXXXCC系列稳压二极管参数：

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　　二极管主要参数

　　用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：

　　1、整流电流

　　是指二极管长期连续工作时允许通过的正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。

　　2、反向工作电压

　　加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。

　　3、反向电流

　　反向电流是指二极管在规定的温度和反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

　　4.动态电阻Rd

　　二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。

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