供应晶体二极管MM1Z5254C，二极管MM1Z5254C
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MM1Z5254C | |
| 品牌/商标： | 金誉 | |
| 封装形式： | SOD-123 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 反向电压： | | |
| 反向击穿电流： | |
MM1Z5254C稳压二极管特性：
总功耗：500mW
齐纳击穿电压范围：±2%
封装：SOD-123
表面材料：硅
结点温度：150℃
存储温度范围：-55℃~150℃
MM1Z52系列属性：
dzsc/18/4312/18431211.jpg
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
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供应MM1Z5257C稳压二极管，SOD-123稳压二极管
信息内容：MM1Z5257C稳压二极管特性： 总功耗：500mW 齐纳击穿电压范围：±2% 封装：SOD-123 表面材料：硅 结点温度：150℃ 存储温度范围：-55℃~150℃ MM1Z52系列属性： dzsc/18/4312/18431223.jpg 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。 天旺科技主要供应：片状二三极管、片状开关、稳压二极管、片状整流、肖特基二极管、片状快恢复二极管、片状场效应、MOS管、片状电容、钽...
供应MM1Z5258C稳压二极管，MM1Z5258C稳压管
信息内容：MM1Z5258C稳压二极管特性： 总功耗：500mW 齐纳击穿电压范围：±2% 封装：SOD-123 表面材料：硅 结点温度：150℃ 存储温度范围：-55℃~150℃ MM1Z52系列属性： dzsc/18/4312/18431225.jpg 二极管按构造分类： 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下： 点接触型二极管 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。 键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于5...
