供应齐纳二极管MM1Z5234C，稳压二极管MM1Z5234C
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MM1Z5234C | |
| 品牌/商标： | 金誉 | |
| 封装形式： | SOD-123 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 反向电压： | | |
| 反向击穿电流： | |
MM1Z5234C稳压二极管特性：
总功耗：500mW
齐纳击穿电压范围：±2%
封装：SOD-123
表面材料：硅
结点温度：150℃
存储温度范围：-55℃~150℃
MM1Z52系列属性：
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什么是稳压二极管
稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种用于稳定电压的单PN结二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很少的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。
稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。
天旺创立于1991年，在近20年的市场博弈中，凭借着“天旺”人持之以恒的努力，在中国电子信息产业讯速发展的的契机下，使“天旺”发展成为产、供、销一条龙，科、工、贸一体化的新型高新技术集团公司。天旺拥有自主研发品牌“HT”。是迪浦国际集团“PHILOP”系列产品，香港先科集团“ST”系列产品，江苏长电集团“长电”系列产品总代理。产品范围更广，服务更全面。并与品佳电子、艾睿集团 、安富利科技、世平集团、友尚国际等电子元器件国际知名企业达成战略合作伙伴关系。在电子元器件货源稳定，战略联盟销售，元器件报关物流等领域独具优势。天旺致力于成为“中国本土的电子元器件通路商”、“电子元器件二、三极管领域龙头”。
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供应二极管MM1Z5235C，MM1Z5235C稳压二极管
信息内容：MM1Z5235C稳压二极管特性： 总功耗：500mW 齐纳击穿电压范围：±2% 封装：SOD-123 表面材料：硅 结点温度：150℃ 存储温度范围：-55℃~150℃ MM1Z52系列属性： dzsc/18/4308/18430857.jpg 二极管击穿有哪3种情况？ 二极管的击穿通常有三种情况，即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 （1）雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对，由于链锁反应的结果，使少数载流子数目急剧增多，反向电流雪崩式地迅速增大，这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 （2）齐纳击穿 对于采用高掺杂（即杂质浓度很大）形成的PN结，由于结很薄（如0.04μm）即使外加电压并不高（如4V），就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来，产生大量的电子一空穴对，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿（因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 （3）热击穿 在使用二极管的过程中，如由于PN结功耗（反向电流与反向电压之...
供应稳压管MM1Z5236C，生产稳压二极管
信息内容：MM1Z5236C稳压管特性： 总功耗：500mW 齐纳击穿电压范围：±2% 封装：SOD-123 表面材料：硅 结点温度：150℃ 存储温度范围：-55℃~150℃ MM1Z52系列属性： dzsc/18/4308/18430879.jpg 稳压管的主要参数： （1） 稳定电压VZ Vz稳压管反向击穿后其电流为规定值时它两端的电压值。不同型号的稳压管其Vz的范围不同；同种型号的稳压管也常因工艺上的差异而有一定的分散性。所以，Vz一般给出的是范围值，例如2CW11的Vz在3.2～4.5V （测试电流为10mA）。当然，二极管（包括稳压管）的正向导通特性也有稳压作用，但稳定电压只有0.6～0. 8V，且随温度的变化较大，故一般不常用。 （2）稳定电流IZ IZ是指稳压管正常工作时的参考电流。Iz 通常在最小稳定电流IZmin与稳定电流IZmax之间。其中IZmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流，电流低于此值时，稳压效果差；IZmax是指稳压管稳定工作时的允许电流，超过此电流时，只要超过额定功耗，稳压管将发生性击穿。故一般要求 IZmin＜ Iz ＜ IZmax 。 （3）动态电阻rZ rZ是指在稳压管正常工作的范围内，电压的微变量与电流的微变量之比。rZ 越小，表明稳...
