供应STZ8360B稳压管，STZ8360B稳压二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STZ8360B | |
| 品牌/商标： | 金誉 | |
| 封装形式： | SOD-323 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 反向电压： | | |
| 反向击穿电流： | |
STZ8360B稳压二极管特性：
表面材料：硅
功耗：300mW
封装：SOD-323
结点温度：150℃
存储温度范围：-55℃~150℃
STZ8000系列稳压二极管的参数（T=25℃）：
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稳压管的主要参数：
（1） 稳定电压VZ
Vz稳压管反向击穿后其电流为规定值时它两端的电压值。不同型号的稳压管其Vz的范围不同；同种型号的稳压管也常因工艺上的差异而有一定的分散性。所以，Vz一般给出的是范围值，例如2CW11的Vz在3.2～4.5V （测试电流为10mA）。当然，二极管（包括稳压管）的正向导通特性也有稳压作用，但稳定电压只有0.6～0. 8V，且随温度的变化较大，故一般不常用。
（2）稳定电流IZ
IZ是指稳压管正常工作时的参考电流。Iz 通常在最小稳定电流IZmin与稳定电流IZmax之间。其中IZmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流，电流低于此值时，稳压效果差；IZmax是指稳压管稳定工作时的允许电流，超过此电流时，只要超过额定功耗，稳压管将发生性击穿。故一般要求 IZmin＜ Iz ＜ IZmax 。
（3）动态电阻rZ
rZ是指在稳压管正常工作的范围内，电压的微变量与电流的微变量之比。rZ 越小，表明稳压管性能越好。
（4）额定功耗PZ
Pz是由管子温升所决定的参数， Pz＝Vz IZmax 。
（5）温度系数α
α是指Vz受温度影响的程度。硅稳压管在VZ＜4V时α＜0；在VZ＞7V时，α＞0；在VZ = 4～7V时，α很小
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供应稳压二极管STZ8360C，二极管STZ8360C
信息内容：STZ8360C稳压二极管特性： 表面材料：硅 功耗：300mW 封装：SOD-323 结点温度：150℃ 存储温度范围：-55℃~150℃ STZ8000系列稳压二极管的参数（T=25℃）： dzsc/18/4299/18429935.jpg 二极管击穿有哪3种情况？ 二极管的击穿通常有三种情况，即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 （1）雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对，由于链锁反应的结果，使少数载流子数目急剧增多，反向电流雪崩式地迅速增大，这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 （2）齐纳击穿 对于采用高掺杂（即杂质浓度很大）形成的PN结，由于结很薄（如0.04μm）即使外加电压并不高（如4V），就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来，产生大量的电子一空穴对，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿（因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 （3）热击穿 在使用二极管的过程中，如由于PN结功耗（反向电流与反向电压之积）过大...
供应STZ8390稳压二极管，STZ8390齐纳二极管
信息内容：STZ8390稳压二极管特性： 表面材料：硅 功耗：300mW 封装：SOD-323 结点温度：150℃ 存储温度范围：-55℃~150℃ STZ8000系列稳压二极管的参数（T=25℃）： dzsc/18/4299/18429945.jpg 什么是稳压二极管 稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种用于稳定电压的单PN结二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很少的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。 稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。"
