| 价 格: | 面议 | |
| 型号/规格: | STZ8220B | |
| 品牌/商标: | 金誉 | |
| 封装形式: | SOD-323 | |
| 环保类别: | 普通型 | |
| 安装方式: | 贴片式 | |
| 包装方式: | 散装 | |
| 功率特性: | | |
| 频率特性: | | |
| 反向电压: | | |
| 反向击穿电流: | |
STZ8220B稳压二极管特性:
表面材料:硅
功耗:300mW
封装:SOD-323
结点温度:150℃
存储温度范围:-55℃~150℃
STZ8000系列稳压二极管的参数(T=25℃):
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如何区分二极管与稳压二极管?
不少的一般二极管,特别是玻璃封装的管,外形颜色等与稳压二极管较相似,如不细心区别,就会使用错误。区别方法是:看外形,不少稳压二极管为园柱形,较短粗,而一般二极管若为园柱形的则较细长;看标志,稳 压二极管的外表面上都标有稳压值,如5V6,表示稳压值为5.6V;用万用表进行测量,根据单向导电性,用X1K挡先把被测二极管的正负极性判断出来,然后用X10K挡,黑表笔接二极管负极,红表笔接二极管正极,测的阻值与X1K挡时相比,若出现的反向阻值很大,为一般二极管的可能性很大,若出现的反向阻值变得很小,则为稳压二极管。
天旺科技主要供应:片状二三极管、片状开关、稳压二极管、片状整流、肖特基二极管、片状快恢复二极管、片状场效应、MOS管、片状电容、钽电容系列、低压差稳压IC、电源管理ICLDO。
公司成立于1991年,是一家以生产经销电子元器件为主的新型高科技企业。本公司生产及销售自有品牌片状二三极管和低压差稳压IC、LDO及电源管理IC,并代理经销世界各国片状二三极管。公司现有职员100多人,办公面积500多平米。公司集元器件研发销售、代理销售、战略联盟销售、进出口报关物流等多项业务于一体,集更多的优势接受市场的挑战,灵活服务于客户,天旺以电子元器件为着陆点,潜心二、三极管。
天旺拥有自主研发品牌“HT”,同时也是迪浦国际集团“PHILOP”系列产品,香港先科集团“ST”系列产品,江苏长电集团“长电”系列产品总代理。产品范围更广,服务更全面,并与品佳电子、艾睿集团 、安富利科技、世平集团、友尚国际等电子元器件国际知名企业达成战略合作伙伴关系,在电子元器件货源稳定,战略联盟销售,元器件报关物流等领域独具优势。
STZ8220C稳压二极管特性: 表面材料:硅 功耗:300mW 封装:SOD-323 结点温度:150℃ 存储温度范围:-55℃~150℃ STZ8000系列稳压二极管的参数(T=25℃): dzsc/18/4297/18429785.jpg 二极管击穿有哪3种情况? 二极管的击穿通常有三种情况,即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 (1)雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结,结较厚,当外加反向电压高到一定数值时,因外电场过强,使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞,将原子电离,产生新的电子空穴对,由于链锁反应的结果,使少数载流子数目急剧增多,反向电流雪崩式地迅速增大,这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 (2)齐纳击穿 对于采用高掺杂(即杂质浓度很大)形成的PN结,由于结很薄(如0.04μm)即使外加电压并不高(如4V),就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来,产生大量的电子一空穴对,使反向电流剧增,这种现象叫齐纳击穿(因齐纳研究而得名)。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 (3)热击穿 在使用二极管的过程中,如由于PN结功耗(反向电流与反向电压之积)过大...
STZ8240稳压二极管特性: 表面材料:硅 功耗:300mW 封装:SOD-323 结点温度:150℃ 存储温度范围:-55℃~150℃ STZ8000系列稳压二极管的参数(T=25℃): dzsc/18/4297/18429791.jpg 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 天旺创立于1991年,在近20年的市场博弈中,凭...