价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MMBZ5242B | |
品牌/商标: | 金誉 | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
反向电压: | | |
反向击穿电流: | |
MMBZ5242B稳压二极管特性:
表面材料:硅
封装:SOT-23
功耗:350mW
MMBZ52系列稳压二极管的参数(T=25℃,V=0.9v,I=10mA):
dzsc/18/4293/18429342.jpg
二极管击穿有哪3种情况?
二极管的击穿通常有三种情况,即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。
(1)雪崩击穿
对于掺杂浓度较低的PN结,结较厚,当外加反向电压高到一定数值时,因外电场过强,使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞,将原子电离,产生新的电子空穴对,由于链锁反应的结果,使少数载流子数目急剧增多,反向电流雪崩式地迅速增大,这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。
(2)齐纳击穿
对于采用高掺杂(即杂质浓度很大)形成的PN结,由于结很薄(如0.04μm)即使外加电压并不高(如4V),就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来,产生大量的电子一空穴对,使反向电流剧增,这种现象叫齐纳击穿(因齐纳研究而得名)。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。
(3)热击穿
在使用二极管的过程中,如由于PN结功耗(反向电流与反向电压之积)过大,使结温升高,电流变大,循环反复的结果,超过PN结的允许功耗,使PN结击穿的现象叫热击穿。热击穿后二极管将发生性损坏。
对于硅PN结,击穿电压在7V以上的为雪崩击穿;4V以下的为齐纳击穿;在4~7V之间的两种情况都有。无论哪种击穿,只要控制反向电流的数值不致引起热击穿,当反向电压下降到击穿电压以下,其性能可以恢复到未击穿前的状况。
深圳市金誉半导体有限公司——是深圳市天旺科技开发有限公司的全资核心子公司,是中国主要的从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的制造商。
金誉半导体依托天旺科技二十余年的经验,年产销各类半导体分立器件近100亿只,产品包括SOT/SOD系列的半导体分立器件、表面贴装系列二极管、场效应管、稳压电路等近千余个品种,同时也对外承接各种分立器件的封装加工业务,可以为客户提供大批量、全系列、多品种、化的半导体封装测试解决方案。
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金誉执行ISO9001:2000质量管理体系和ISO14001环境管理体系,产品符合欧盟指令(ROHS),并可以根据客户要求定制各种无铅、无卤素产品。.产品广泛应用于家用电器、绿色照明、IT、数码产品、汽车电子、工业控制等多个领域,客户遍及国内外厂商。
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MMBZ5245B稳压二极管特性: 表面材料:硅 封装:SOT-23 功耗:350mW MMBZ52系列稳压二极管的参数(T=25℃,V=0.9v,I=10mA): dzsc/18/4293/18429344.jpg 如何区分二极管与稳压二极管? 不少的一般二极管,特别是玻璃封装的管,外形颜色等与稳压二极管较相似,如不细心区别,就会使用错误。区别方法是:看外形,不少稳压二极管为园柱形,较短粗,而一般二极管若为园柱形的则较细长;看标志,稳 压二极管的外表面上都标有稳压值,如5V6,表示稳压值为5.6V;用万用表进行测量,根据单向导电性,用X1K挡先把被测二极管的正负极性判断出来,然后用X10K挡,黑表笔接二极管负极,红表笔接二极管正极,测的阻值与X1K挡时相比,若出现的反向阻值很大,为一般二极管的可能性很大,若出现的反向阻值变得很小,则为稳压二极管。 深圳市金誉半导体有限公司——是深圳市天旺科技开发有限公司的全资核心子公司,是中国主要的从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的制造商。 金誉半导体依托天旺科技二十余年的经验,年产销各类半导体分立器件近100亿只,产品包括SOT/SOD系列的半导体分立器件、表面贴装系列二极管、场效应管、稳...
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