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供应MMBZ5242B二极管,MMBZ5242B稳压二极管

价 格: 面议
型号/规格:MMBZ5242B
品牌/商标:金誉
封装形式:SOT-23
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:散装
功率特性:
频率特性:
反向电压:
反向击穿电流:

  MMBZ5242B稳压二极管特性:

  表面材料:硅

  封装:SOT-23

  功耗:350mW

  MMBZ52系列稳压二极管的参数(T=25℃,V=0.9v,I=10mA):

dzsc/18/4293/18429342.jpg

 

  二极管击穿有哪3种情况?

  二极管的击穿通常有三种情况,即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。

  (1)雪崩击穿

  对于掺杂浓度较低的PN结,结较厚,当外加反向电压高到一定数值时,因外电场过强,使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞,将原子电离,产生新的电子空穴对,由于链锁反应的结果,使少数载流子数目急剧增多,反向电流雪崩式地迅速增大,这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。

  (2)齐纳击穿

  对于采用高掺杂(即杂质浓度很大)形成的PN结,由于结很薄(如0.04μm)即使外加电压并不高(如4V),就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来,产生大量的电子一空穴对,使反向电流剧增,这种现象叫齐纳击穿(因齐纳研究而得名)。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。

  (3)热击穿

  在使用二极管的过程中,如由于PN结功耗(反向电流与反向电压之积)过大,使结温升高,电流变大,循环反复的结果,超过PN结的允许功耗,使PN结击穿的现象叫热击穿。热击穿后二极管将发生性损坏。

  对于硅PN结,击穿电压在7V以上的为雪崩击穿;4V以下的为齐纳击穿;在4~7V之间的两种情况都有。无论哪种击穿,只要控制反向电流的数值不致引起热击穿,当反向电压下降到击穿电压以下,其性能可以恢复到未击穿前的状况。

 

  深圳市金誉半导体有限公司——是深圳市天旺科技开发有限公司的全资核心子公司,是中国主要的从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的制造商。

  金誉半导体依托天旺科技二十余年的经验,年产销各类半导体分立器件近100亿只,产品包括SOT/SOD系列的半导体分立器件、表面贴装系列二极管、场效应管、稳压电路等近千余个品种,同时也对外承接各种分立器件的封装加工业务,可以为客户提供大批量、全系列、多品种、化的半导体封装测试解决方案。

  公司从荷兰、日本、美国、香港等国家和地区引进先进的自动化生产线和检测设备,聚集了大量的生产半导体产品的高技术人才,拥有一支经验丰富、配置合理的技术管理团队,在新产品开发及应用方面都具有独特优势。

  金誉执行ISO9001:2000质量管理体系和ISO14001环境管理体系,产品符合欧盟指令(ROHS),并可以根据客户要求定制各种无铅、无卤素产品。.产品广泛应用于家用电器、绿色照明、IT、数码产品、汽车电子、工业控制等多个领域,客户遍及国内外厂商。

  金誉半导体,厚积薄发,以为广大客户和用户提供高性价比的半导体产品为己任,以振兴中国半导体封装测试产业为目标,正在大踏步前进!

苏州固锝电子股份有限公司
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