供应稳压二极管MMBZ5228B，二极管MMBZ5228B
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMBZ5228B | |
| 品牌/商标： | 金誉 | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 反向电压： | | |
| 反向击穿电流： | |
MMBZ5228B稳压二极管特性：
表面材料：硅
封装：SOT-23
功耗：350mW
MMBZ52系列稳压二极管的参数（T=25℃，V=0.9v，I=10mA）：
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如何区分二极管与稳压二极管？
不少的一般二极管，特别是玻璃封装的管，外形颜色等与稳压二极管较相似，如不细心区别，就会使用错误。区别方法是：看外形，不少稳压二极管为园柱形，较短粗，而一般二极管若为园柱形的则较细长；看标志，稳 压二极管的外表面上都标有稳压值，如5V6，表示稳压值为5.6V；用万用表进行测量，根据单向导电性，用X1K挡先把被测二极管的正负极性判断出来，然后用X10K挡，黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，测的阻值与X1K挡时相比，若出现的反向阻值很大，为一般二极管的可能性很大，若出现的反向阻值变得很小，则为稳压二极管。
恒旺电子科技公司是本公司在香港的直接投资公司，负责进出口各国电子元器件，也开展了报关业务、提供17％增值税票等，使本公司更具竞争优势。
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供应MMBZ5229B稳压二极管，生产稳压二极管
信息内容：MMBZ5229B稳压二极管特性： 表面材料：硅 封装：SOT-23 功耗：350mW MMBZ52系列稳压二极管的参数（T=25℃，V=0.9v，I=10mA）： dzsc/18/4293/18429320.jpg 稳压二极管正向使用与反向使用的区别 稳压二极管正向导通使用时，与一般二极管正向导通使用时基本相同，正向导通后两端电压也是基本不变的，都约为0.7V。从理论上讲，稳压二极管也可正向使用做稳压管用，但其稳压值将低于1V，且稳压性能也不好，一般不单独用稳压管的正向导通特性来稳压，而是用反向击穿特性来稳压。反向击穿电压值即为稳压值。有时将两个稳压管串联使用，一个利用它的正向特性，另一个利用它的反向特性，则既能稳压又可起温度补偿作用，以提高稳压效果。 恒旺电子科技公司是本公司在香港的直接投资公司，负责进出口各国电子元器件，也开展了报关业务、提供17％增值税票等，使本公司更具竞争优势。
供应齐纳二极管MMBZ5226B，齐纳管MMBZ5226B
信息内容：MMBZ5226B稳压二极管特性： 表面材料：硅 封装：SOT-23 功耗：350mW MMBZ52系列稳压二极管的参数（T=25℃，V=0.9v，I=10mA）： dzsc/18/4293/18429321.jpg 二极管击穿有哪3种情况？ 二极管的击穿通常有三种情况，即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 （1）雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对，由于链锁反应的结果，使少数载流子数目急剧增多，反向电流雪崩式地迅速增大，这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 （2）齐纳击穿 对于采用高掺杂（即杂质浓度很大）形成的PN结，由于结很薄（如0.04μm）即使外加电压并不高（如4V），就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来，产生大量的电子一空穴对，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿（因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 （3）热击穿 在使用二极管的过程中，如由于PN结功耗（反向电流与反向电压之积）过大，使结温升高，电流变大，循环反复的结果，...
