价 格: | 面议 | |
型号/规格: | STZ8027B | |
品牌/商标: | 金誉 | |
封装形式: | SOD-323 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
反向电压: | | |
反向击穿电流: | |
STZ8027B稳压二极管特性:
表面材料:硅
功耗:300mW
封装:SOD-323
结点温度:150℃
存储温度范围:-55℃~150℃
STZ8000系列稳压二极管的参数(T=25℃):
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什么是稳压二极管
稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种用于稳定电压的单PN结二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。
稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
STZ8030稳压二极管特性: 表面材料:硅 功耗:300mW 封装:SOD-323 结点温度:150℃ 存储温度范围:-55℃~150℃ STZ8000系列稳压二极管的参数(T=25℃): dzsc/18/4282/18428261.jpg 二极管击穿有哪3种情况? 二极管的击穿通常有三种情况,即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 (1)雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结,结较厚,当外加反向电压高到一定数值时,因外电场过强,使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞,将原子电离,产生新的电子空穴对,由于链锁反应的结果,使少数载流子数目急剧增多,反向电流雪崩式地迅速增大,这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 (2)齐纳击穿 对于采用高掺杂(即杂质浓度很大)形成的PN结,由于结很薄(如0.04μm)即使外加电压并不高(如4V),就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来,产生大量的电子一空穴对,使反向电流剧增,这种现象叫齐纳击穿(因齐纳研究而得名)。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 (3)热击穿 在使用二极管的过程中,如由于PN结功耗(反向电流与反向电压之积)过大,使...
STZ8033稳压二极管特性: 表面材料:硅 功耗:300mW 封装:SOD-323 结点温度:150℃ 存储温度范围:-55℃~150℃ STZ8000系列稳压二极管的参数(T=25℃): dzsc/18/4282/18428265.jpg 稳压二极管正向使用与反向使用的区别 稳压二极管正向导通使用时,与一般二极管正向导通使用时基本相同,正向导通后两端电压也是基本不变的,都约为0.7V。从理论上讲,稳压二极管也可正向使用做稳压管用,但其稳压值将低于1V,且稳压性能也不好,一般不单独用稳压管的正向导通特性来稳压,而是用反向击穿特性来稳压。反向击穿电压值即为稳压值。有时将两个稳压管串联使用,一个利用它的正向特性,另一个利用它的反向特性,则既能稳压又可起温度补偿作用,以提高稳压效果。 天旺科技主要供应:片状二三极管、片状开关、稳压二极管、片状整流、肖特基二极管、片状快恢复二极管、片状场效应、MOS管、片状电容、钽电容系列、低压差稳压IC、电源管理ICLDO。