供应SOD-123稳压二极管，BZT52C12W稳压二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BZT52C12W | |
| 品牌/商标： | 金誉 | |
| 封装形式： | SOD-123 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 反向电压： | | |
| 反向击穿电流： | |
BZT52C12W稳压二极管特性：
表面材料：硅
功耗：500mW
封装：SOD-123
BZT52C系列稳压二极管的参数（T=25℃）：
dzsc/18/4270/18427089.jpg
稳压二极管(齐纳二极管,Zener diode)：
是一种专门工作于反向(崩溃，Breakdown)区域的二极管，如有一适量的电流流经此二极管，则其两端点间产生一固定不变的电压，名为："稳压电压"，由于其电压稳定，故被广泛用于稳压电路或用作参考电压源。
天旺创立于1991年，在近20年的市场博弈中，凭借着“天旺”人持之以恒的努力，在中国电子信息产业讯速发展的的契机下，使“天旺”发展成为产、供、销一条龙，科、工、贸一体化的新型高新技术集团公司。公司集元器件研发销售、代理销售、战略联盟销售、进出口报关物流等多项业务于一体。集更多的优势接受市场的挑战，灵活服务于客户。
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- 所属城市：广东 广州
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供应BZT52C13W齐纳二极管，BZT52C13W稳压管
信息内容：BZT52C13W稳压二极管特性： 表面材料：硅 功耗：500mW 封装：SOD-123 BZT52C系列稳压二极管的参数（T=25℃）： dzsc/18/4270/18427090.jpg 什么是稳压二极管 稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种用于稳定电压的单PN结二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很少的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。 稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。 天旺创立于1991年，在近20年的市场博弈中，凭借着“天旺”人持之以恒的努力，在中国电子信息产业讯速发展的的契机下，使“天旺”发展成为产、供、销一条龙，科、工、贸一体化的新型高新技术集团公司。公司集元器件研发销售、代理销售、战略联盟销售、进出口报关物流等多项业务于一体。集更多的优势接受市场的挑战，灵活服务于客户。 质优价廉!性价比高!可根据客户要求量身订做!欢迎广大客户来电来Q详谈！
供应BZT52C15W齐纳二极管，BZT52C15W稳压二极管
信息内容：BZT52C15W稳压二极管特性： 表面材料：硅 功耗：500mW 封装：SOD-123 BZT52C系列稳压二极管的参数（T=25℃）： dzsc/18/4270/18427092.jpg 二极管击穿有哪3种情况？ 二极管的击穿通常有三种情况，即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 （1）雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对，由于链锁反应的结果，使少数载流子数目急剧增多，反向电流雪崩式地迅速增大，这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 （2）齐纳击穿 对于采用高掺杂（即杂质浓度很大）形成的PN结，由于结很薄（如0.04μm）即使外加电压并不高（如4V），就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来，产生大量的电子一空穴对，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿（因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 （3）热击穿 在使用二极管的过程中，如由于PN结功耗（反向电流与反向电压之积）过大，使结温升高，电流变大，循环反复的结果，超过PN结的允许...
