价 格: | 面议 | |
型号/规格: | BZT52C4V7W | |
品牌/商标: | 金誉 | |
封装形式: | SOD-123 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
反向电压: | | |
反向击穿电流: | |
BZT52C4V7W齐纳二极管特性:
表面材料:硅
功耗:500mW
封装:SOD-123
BZT52C系列齐纳二极管的参数(T=25℃):
dzsc/18/4270/18427063.jpg
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),另外,还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。
BZT52C5V6W稳压二极管特性: 表面材料:硅 功耗:500mW 封装:SOD-123 BZT52C系列稳压二极管的参数(T=25℃): dzsc/18/4270/18427072.jpg 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
BZT52C6V2W稳压二极管特性: 表面材料:硅 功耗:500mW 封装:SOD-123 BZT52C系列稳压二极管的参数(T=25℃): dzsc/18/4270/18427073.jpg 二极管主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数: 1、整流电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的正向电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 2、反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。 3、反向电流 反向电流是指二极管在规定的温度和反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是...