供应齐纳二极管MMBZ5226BW，MMBZ5226BW稳压二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMBZ5226BW | |
| 品牌/商标： | 金誉 | |
| 封装形式： | SOT-323 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 反向电压： | | |
| 反向击穿电流： | |
MMBZ5226BW稳压二极管参数：
表面材料：硅
功耗：200mW
工作温度：-65℃~150℃
MMBZ52系列稳压二极管属性（I=10mA：V＜0.9v）：
dzsc/18/4249/18424900.jpg
二极管的工作原理
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
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供应二极管MMBZ5235BW，稳压二极管MMBZ5235BW
信息内容：MMBZ5235BW稳压二极管参数： 表面材料：硅 功耗：200mW 工作温度：-65℃~150℃ 封装：SOT-323 MMBZ52系列稳压二极管属性（I=10mA：V＜0.9v）： dzsc/18/4249/18424943.jpg 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。 深圳市金誉半导体有限公司——是深圳市天旺科技开发有限公司的全资核心子公司，是中国主要的从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的制造商。 金誉半导体依托天旺科技二十余年的经验，年产销各类半导体分立器件近100亿只，产品包括SOT/SOD系列的半导体分立器件、表面贴装系列二极管、场效应管、稳压电路等近千余个品种，同时也对外承接各种分立器件的封装加工...
供应齐纳二极管MMBZ5245BW，二极管MMBZ5245BW
信息内容：MMBZ5245BW稳压二极管参数： 表面材料：硅 功耗：200mW 工作温度：-65℃~150℃ 封装：SOT-323 MMBZ52系列稳压二极管属性（I=10mA：V＜0.9v）： dzsc/18/4250/18425040.jpg 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。 天旺科技主要供应：片状二三极管、片状开关、稳压二极管、片状整流、肖特基二极管、片状快恢复二极管、片状场效应、MOS管、片状电容、钽电容系列、低压差稳压IC、...
