价 格: | 面议 | |
型号/规格: | BZX84C24W | |
品牌/商标: | 金誉 | |
封装形式: | SOT-323 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
反向电压: | | |
反向击穿电流: | |
BZX84C24W齐纳二极管参数:
功耗:200mW
工作温度:-55℃~150℃
表面材料:硅
BZX84C系列二极管属性(I=10mA:V=0.9v):
dzsc/18/4247/18424706.jpg
二极管主要参数
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
1、整流电流
是指二极管长期连续工作时允许通过的正向电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、反向工作电压
加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流
反向电流是指二极管在规定的温度和反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
BZX84C27W齐纳二极管参数: 功耗:200mW 工作温度:-55℃~150℃ 表面材料:硅 BZX84C系列二极管属性(I=10mA:V=0.9v): dzsc/18/4247/18424775.jpg 稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 深圳市金誉半导体有限公司——是深圳市天旺科技开发有限公司的全资核心子公司,是中国主要的从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的制造商。 金誉半导体依托天旺科技二十余年的经验,年产销各类半导体分立器件近100亿只,产品包括SOT/SOD系列的半导体分立器件、表面贴装系列二极管、场效应管、稳压电路等近千余个品种,同时也对外承接各种分立器件的封装加工业务,可以为客户提供大批量、全系列、多品种、化的半导体封装测试解决方案。 公司从荷兰、日本、美国、香港等国家和地区引进先进的自动化生产线...
BZX84C30W齐纳二极管参数: 功耗:200mW 工作温度:-55℃~150℃ 表面材料:硅 BZX84C系列二极管属性(I=10mA:V=0.9v): dzsc/18/4247/18424788.jpg 稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 深圳市金誉半导体有限公司——是深圳市天旺科技开发有限公司的全资核心子公司,是中国主要的从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的制造商。 金誉半导体依托天旺科技二十余年的经验,年产销各类半导体分立器件近100亿只,产品包括SOT/SOD系列的半导体分立器件、表面贴装系列二极管、场效应管、稳压电路等近千余个品种,同时也对外承接各种分立器件的封装加工业务,可以为客户提供大批量、全系列、多品种、化的半导体封装测试解决方案。 公司从荷兰、日本、美国、香港等国家和地区引进先进的自动化生产线和检测设备,聚集了大量的生产半导体产品的高技术人才,拥有一支经验丰富、配置合理的技术管理团队,在新产品开发及应用方面都具有独特优势。 金誉执行ISO9001:2000质量管理体系和ISO14001环境管理体系,...