供应齐纳二极管MM1Z68，MM1Z68齐纳管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MM1Z68 | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 反向电压： | | |
| 反向击穿电流： | |
MM1Z68参数：
表面材料：硅
总功耗：500mW
正向电压（I=10mA）：VF=0.9(v)
MM1Z系列稳压二极管参数：
dzsc/18/4240/18424067.jpg
二极管的工作原理
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
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供应MM1Z75稳压二极管，齐纳二极管MM1Z75
信息内容：MM1Z75参数： 表面材料：硅 总功耗：500mW 正向电压（I=10mA）：VF=0.9(v) MM1Z系列稳压二极管参数： dzsc/18/4240/18424078.jpg 二极管按构造分类： 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下： 点接触型二极管 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。 键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极...
供应BZX84C2V4W齐纳二极管，BZX84C2V4W稳压管
信息内容：BZX84C2V4W齐纳二极管参数： 功耗：200mW 工作温度：-55℃~150℃ 表面材料：硅 BZX84C系列二极管属性（I=10mA：V=0.9v）： dzsc/18/4241/18424169.jpg 天旺科技主要供应：片状二三极管、片状开关、稳压二极管、片状整流、肖特基二极管、片状快恢复二极管、片状场效应、MOS管、片状电容、钽电容系列、低压差稳压IC、电源管理ICLDO。 公司成立于1991年，是一家以生产经销电子元器件为主的新型高科技企业。本公司生产及销售自有品牌片状二三极管和低压差稳压IC、LDO及电源管理IC，并代理经销世界各国片状二三极管。公司现有职员100多人，办公面积500多平米。公司集元器件研发销售、代理销售、战略联盟销售、进出口报关物流等多项业务于一体，集更多的优势接受市场的挑战，灵活服务于客户，天旺以电子元器件为着陆点，潜心二、三极管。 天旺拥有自主研发品牌“HT”，同时也是迪浦国际集团“PHILOP”系列产品，香港先科集团“ST”系列产品，江苏长电集团“长电”系列产品总代理。产品范围更广，服务更全面，并与品佳电子、艾睿集团 、安富利科技、世平集团、友尚国际等电子元器件国际知名企业达成战略合作伙伴关系，在电子元器件货源稳...
