K2645:600V,1200mO,9A,50W
本公司长期供应IC集成电路,大小功率、二三极管、达林顿、场效应管、可控硅、三端稳压、肖特基、快恢复等电子元器件管
产品: General Purpose MOSFETs 晶体管极性: N-Channel 电阻基极/源极 RDS(导通): 4.7 Ohm @ 10 V 基极/源极击穿电压: 600 V 漏极连续电流: 2 A 功率耗散: 23000 mW 闸/源击穿电压: + /- 30 V 正向跨导 gFS(值/最小值): 5 S 封装/箱体: TO-220F
介质材料 : 铝电解 应用范围 : 低压 外形 : 圆柱形 功率特性 : 小功率 频率特性 : 低频 调节方式 : 固定 引线类型 : 轴向引出线 允许偏差 : ±10(%) 耐压值 : 50(V) 等效串联电阻(ESR) : 1(mΩ) 标称容量 : 1(uF) 损耗 : 1 额定电压 : 1(V) 绝缘电阻 : 1(mΩ) 温度系数 : 1