价 格: | 面议 | |
型号/规格: | NTD110N02RT4G,ON,MOS,24V,110 | |
品牌/商标: | ON(安森美) | |
封装形式: | SOT-252 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特征: | |
产品型号:NTD110N02RT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600
漏极电流Id(on)(A):110
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:24 V, 110 A功率MOSFET
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产品型号:KHB7D0N80F1 源漏极间雪崩电压VBR(V):24 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.55 漏极电流Id(on)(A):7 通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150描述:800V, 7 A功率MOSFET