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供应 场效应管 NTD110N02RT4G,NTD110N02,T110N2G

价 格: 面议
型号/规格:NTD110N02RT4G,ON,MOS,24V,110
品牌/商标:ON(安森美)
封装形式:SOT-252
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装
功率特征:

产品型号:NTD110N02RT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极导通
电阻rDS(on)(mΩ):4.600
漏极电流Id(on)(A):110
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:24 V, 110 A功率
MOSFET

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
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  • 传真:0755-83957820
  • 手机:15914096884
  • QQ :QQ:4006262666QQ:2355799086QQ:2355799092
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供应 场效应管 KHB7D0N65F1

信息内容:

<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.600V,N沟道贴片场效应管(MOSFET):MDD4N60RH SOT-252 MagnaChip/美格纳 SMD/MOS N场 600V 4A 2ΩSPD03N60C3,SOT252,Infineon,SMD/MOS,N场,600V,3.2A,1.4ΩKHB2D0N60P,TO-220,KEC,DIP/MOS,N场,600V,2A,5ΩIRFBC40AS,SOT-263,IR,SMD/MOS,600V,6.2A,N场,1.2Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话KIA7N60H,KIA7N60,7N60,TO-220F,KIA,600V,6.9A,1.1Ω,STB3NK60Z,SOT-263,ST,08NPB,SMD/MOS,600V,2.4A,3.6ΩSTB13NK60Z,SOT-263,ST,08NPB,SMD/MOS,600V,13A,0.55ΩSSM1N60A FAIRCHILD SOT-223AP01N60H AP/富鼎 SOT-252AP02N60H AP/富鼎 SOT-252FQD1N60C FAIRCHILD SOT-252IRFRC20 IR SOT-252MTD1N60ET4 ON SOT-252SPD01N60C3 infineon SOT-252SPD02N60C3 infineon SOT-252SPD03N60C3 infineon SOT-252SPD03N60S5 infineon SOT-252SPD04N60C3 infineon S...

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供应 场效应管 , KHB7D0N80F1 , 7D0N80F

信息内容:

产品型号:KHB7D0N80F1 源漏极间雪崩电压VBR(V):24 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.55 漏极电流Id(on)(A):7 通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150描述:800V, 7 A功率MOSFET

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