价 格: | 0.10 | |
型号/规格: | 102/275VAC P10 | |
品牌/商标: | DAIN TC | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 单件包装 | |
产品主要用途: | 普通/民用电子信息产品 | |
引出线类型: | 径向引线型 | |
特征: | 方型 | |
标称容量范围: | 0.001uf | |
额定电压范围: | 275V | |
温度系数范围: | 110℃ |
为无感结构,用金属化聚丙烯膜作电介质/电极绕制而成,导线采用镀锡铜包钢线,使用环氧树脂密封在塑料壳内特点 塑料外壳封装,外观一致性好. 高频损耗小,能承载较大电流. 绝缘电阻高,自愈性好,寿命长. 能承受2.5KV的脉冲电压,属X2类 适用于电源跨线降噪抑制干扰电路,及其他交流场合
安规电容器参数
适用:适用于线间旁路,天线耦合,线间跨合,线间跨接,电花消制回路,同时也适用于频率调制滤波,电源供给开关切换等应用。
工作温度:-40℃——+100℃
电容公差:K(±10%)FORC≥0.01 M(±20%)FORC≤0.01(P=10MM)
工作电压:250VAC FOR UL,CSA. 275VAC FORVDE,SEV,SEMKO,NEMKO,DEMKO,FIMKO,CE,CCEE.
损耗因数:0.1%MAX ,AT 1 KHZ AND 25℃
绝缘电阻:9000MΩFOR C≤0.33UF 3000MΩ.UF FOR C>0.33UF
别:分离式半导体产品家庭:MOSFET,GaNFET - 单系列:CoolMOS™FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:450 毫欧 @ 7.1A, 10V漏极至源极电压(Vdss):800V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:11A Id 时的 Vgs(th)():3.9V @ 680µA闸电荷(Qg) @ Vgs:85nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1600pF @ 100V功率 - :156W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220AB包装:管件供应商设备封装:TO-220AB其它名称:SP000013701SPP11N80C3INSPP11N80C3XSPP11N80C3XKSPP11N80C3XTINSPP11N80C3XTIN-ND
特点及说明: 该电容损耗低,内部升温小,绝缘电阻高,容量稳定性好,自愈性能优异,塑料外壳,环氧树脂灌封,安全、可靠,适用于频率在50HZ(60HZ)的交流电源供电的单相电动机启动和运转。 额定电压 : 250V AC,400VAC 电容量范围 :1UF---12.UF 电容量偏差 :正负5%(J) 正负10%(K) 为DVD机,电源板,MP3 、数码相机及电脑周边电子产品的元器件提供配套服务,欢迎广大新老客户和我们一起共创美好未来!欢迎来电洽谈!