品牌/商标 | 华晶 | 型号/规格 | IGBT |
控制方式 | GTO(门极关断) | 极数 | 四极 |
封装材料 | 树脂封装 | 封装外形 | 圆壳形 |
关断速度 | 高频(快速) | 散热功能 | 带散热片 |
频率特性 | 超高频 | 功率特性 | 大功率 |
额定正向平均电流 | 100(A) | 控制极触发电流 | 1000(mA) |
稳定工作电流 | 1000(A) | 反向重复峰值电压 | 1000(V) |
品牌/商标 华晶 型号/规格 MTG 控制方式 逆导 极数 三极 封装材料 树脂封装 封装外形 平底形 关断速度 高频(快速) 散热功能 带散热片 频率特性 高频 功率特性 大功率 额定正向平均电流 150(A) 控制极触发电流 1000(mA) 稳定工作电流 150(A) 反向重复峰值电压 1600(V)
品牌/商标 华晶 型号/规格 ZP200/1000V 应用范围 电镀 整流元件 二极管(排) 功率特性 大功率 频率特性 超高频 交流输入电压 111(V) 直流输出电压 111(V) 直流输出电流 111(A) 正向峰值电压 111(V) 反向重复峰值电压 1111(V) 反向重复峰值电流 1111(mA) 绝缘电压 111(V) 工作结温 11(℃) 效率 100(%)