品牌/商标 | BOURNS | 型号/规格 | 3362\3296 |
种类 | 单联 | 材料 | 金属膜 |
性能 | 微调 | 阻值调节方式 | 旋转式 |
阻值变化方式 | 直线式 | 标称阻值 | 1-500k |
滑动噪声 | 0(V) | 分辨率 | 1(%) |
零位电阻 | 0(Ω) | 接触电阻 | 1(Ω) |
绝缘电阻 | 0(MΩ) |
本公司代理美国BOURNS牌精密微调玻璃釉电位器3296 3362 3006 3386 3266 3314 3324 ,本公司产品质量保证,价格低于同行,诚信负责的工作理念为新老客户提供高品质的产品!
深圳市集天盛业电子是一家以经销电子元器件为主的企业。经销品牌电子元器件,二极管、三极管、稳压管、场效应管、三端稳压、IC集成电路、电容、电阻、电感等产品。
广泛应用于汽车电子、电脑、数码产品、MP3、MP4、U盘、电子词典、DVD、CCD、DV、锂电池保护版等消费类产品和医疗器械。
产品有以下封装形式:
贴片/普通整流二极管:M1-M7(DO-214AC,SMA)、SM4001-SM4007(DO-213AB,MELF)、SM5391-SM5399(DO-214AC、SMA,DO-213AB,MELF)、S2A-S2M(DO-214AA,SMB)、S3A-S3M(DO-214AB,SMC)
肖特基二极管:SS12-S110(DO-214AC,SMA)、SK12-SK1100(DO-214AC,SMA)、SS22-S210(DO-214AC,SMA)、SK22-SK2100(DO-214AC,SMA)、SS32-S310(DO-214AC,SMA)、SK32-SK3200(DO-214AC,SMA)、SS52-S510(DO-214AB,SMC)、SK52-SK5200(DO-214AA SMB,DO-214AB SMC)、MBR10100CT(TO-220AB)、MBR10150CT(TO-220AB)、MBR10200CT(TO-220AB)、MBR20100CT(TO-220AB)、MBR20150CT(TO-220AB)、MBR20200CT(TO-220AB)、
普通肖特基二极管:1N5817,1N5818,1N5819,SR120,SR140,SR160,SR220,SR240,SR1100, SR260,SR2100,1N5820,1N5821, 1N5822, SR320,SR340,SR360, SR3100, SR520,SR540,SR560,SR5100。
快速恢复二极管:FR2A-FR2M(DO-214AA,SMB)、FR3A-FR3M(DO-214AB,SMC)RS1A-RS1M(DO-214AC,SM4933-SM4937(DO-213AB,MELF)
高压快恢复二极管:MUR120,MUR140,MUR160,MUR260,MUR2100,MUR420,MUR440,MUR460,MUR820,MUR840,MUR860,MUR1520,MUR1540,MUR1560,MUR1620CT,MUR1640CT,MUR1660CT,MUR2020CT ,MUR2040CT,MUR3020PT,MUR3040PT,MUR3060PT,ES1A-ES1J,ES2A-ES2J,ES3A-ES3J,US1A-US1J,US2A-US2J,US3A-US3J
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公司的经营目标:质量和价格显优势。为厂家配套服务,讲信誉、重合作、看长远,达到双赢目的。热忱欢迎各位客户来电来函咨询洽谈!
品牌/商标 进口 型号/规格 8205A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 50(V) 夹断电压 50(V) 漏极电流 4(mA) 如需祥细请索取资料联系人王欢13713978456QQ:156406755Featuers:•20V/6A•RDS(ON) =20mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A•RDS(ON) =21mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A•RDS(ON) =26mΩ@ VGS=2.5V,ID=4A•High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance•Surface mount package: TSSOP8、SOT23-6Applications:•Battery management•Power management•Portable equipment•Low power DC to DC converter.•Load switch•LCD adapter
品牌/商标 ME 型号/规格 MOS8205 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 V-FET/V型槽MOS 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 40(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 描述:ME8205系列 共漏极N沟道增强型功率场效应(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM8205适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他...