规格说明:3mm/5mm 940nm 无红爆 红外线发射管
电性参数说明:
电流:100毫安
功率:0.3W
红外光功率:150mW/sr
高效率,高输出(Po=1.49mW)
发射角度:45度/60度
电压(VF):1.1-1.4V
波峰长(WD):940nm
反向漏电值:小于5UA(反向9V冲击)
使用寿命:8-10万小时
主要参数: 峰值波长: 938-940 nm,高效率,高输出(Po=8.4mW)封装形式: 无色透明峰值电流: 200 mA反向电压: 10 V反向漏电电流: 3 μA发射管功率: 150 mW正向电压(If=30mA): 1.11-1.55 V发射强度(If=30mA): 10-17 m视角(2θ1/2): 30 度
NPN Silicon RF Transistor*• For low noise, low distortion broadbandamplifiers in antenna and telecommunicationssystems up to 1.5 GHz at collector currents from20 mA to 80 mA• Power amplifier for DECT and PCN systems• fT = 7.5 GHz, F = 1.3 dB at 900 MHz• Pb-free (RoHS compliant) package1)• Qualified according AEC Q101 dzsc/18/3597/18359788.jpg dzsc/18/3597/18359788.jpg