品牌 | 进口 | 型号 | k1120 |
应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | V(V) |
集电极允许电流ICM | A(A) | 集电极耗散功率PCM | W(W) |
截止频率fT | MHZ(MHz) | 结构 | 平面型 |
封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
品牌 进口 型号 MBR20100CTL 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 2(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 标准(dB) 漏极电流 标准(mA) 耗散功率 标准(mW)
产品类型 肖特基管 品牌 进口 型号 MBR4045PT 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 发光颜色 电压控制 LED封装 加色散射封装(D) 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 1(V) 正向直流电流IF 标准(A)