NTGS3446T1G 功率MOSFET,N沟道
| 价 格： | 1111.00 |
品牌:ON安森美 型号:NTGS3446T1G 应用范围:功率 功率特性:小功率 频率特性:中频 极性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:树脂封装 截止频率fT:1（MHz） 集电极允许电流ICM:1（A） 集电极耗散功率PCM:1（W） 营销方式:代理 产品性质:热销
NTGS3446T1G 功率MOSFET,5.1安培,20V,N沟道,SOT23-6
NTGS3433T1G
NTGS3441T1G
NTGS3443T1G
NTGS3446T1G
NTGS3455T1G
功率MOSFET,5.1安培,20V,N沟道,SOT23-6
产品特征
1.超低的RDS（on）
2.更高的效率延长电池寿命
3.逻辑电平门极驱动
4.智能决策支持系统指定的高温
5.无铅封装（G后缀）
应用
1.电源管理在便携式和电池供电的产品，即电脑，打印机，PCMCIA卡，手机和无绳电话
2.锂离子电池应用
3.笔记本电脑
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 蔡明柱
- 电话：0755-83989814
- 传真：0755-83989814
- 手机：
- QQ ：
特价 STM809/STM810 复位电路
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STM809TWX6F 应用范围 功率 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 树脂封装 营销方式 现货 产品性质 热销 STM809/STM810 复位电路,SOT23封装STM809LWX6FSTM809RWX6FSTM809SWX6FSTM809TWX6FSTM809MWX6FSTM810RWX6FSTM810SWX6FSTM810TWX6FSTM810MWX6FSTM810LWX6F功能描述1.精密监测3V，3.3V和5V的供电电压2.双输出配置- Push-pull RST输出（STM809/811）- Push-pull RST输出（STM810/812）3.140ms复位脉冲宽度（最小值）4.低电源电流 - 6μA（典型值）5.保证 RST/RST 向下至Vcc = 1.0V时6.工作温度：-40 ° C至85 °...
特价 LM809/LM810 复位电路
信息内容：品牌/商标 NS 型号/规格 LM809M3X-3.08 应用范围 功率 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 树脂封装 营销方式 现货 产品性质 热销 LM809/LM810 3引脚,微处理器,复位电路LM809M3X-2.45LM809M3X-2.63LM809M3X-2.93LM809M3X-3.08LM809M3X-4.00LM809M3X-4.38LM809M3X-4.63LM809M3X-2.45LM809M3-2.63LM809M3-2.93LM809M3-3.08LM809M3-4.00LM809M3-4.38LM809M3-4.63LM810M3X-2.63LM810M3X-2.93LM810M3X-3.08LM810M3X-4.0LM810M3X-4.38LM810M3X-4.63LM810M3-2.63LM810M3-2.93LM810M3-3.08LM810M3-4.0LM810M3-4.38LM810M3-4.63产品特征1.精确监测电源电压3V，3.3V和...
