价 格: | 42.00 |
应用范围:肖特基 品牌:国产 型号:SR240 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 功率特性:小功率 反向工作电压:40(V) 正向工作电流:1A(mA)
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。
肖特基二极管
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒,如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。
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品牌:国产 型号:R180高压电阻 种类:薄膜 性能:高压 材料:玻璃釉膜 制作工艺:非线绕型 外形:圆柱形 标称阻值:按客户要求定做 温度系数:PTC 额定功率:1-300(W) 调节方式:固定 功率特性:中功率 频率特性:超高频 营销方式:厂家直销 产品性质:热销高精密电阻:精度达0.1%,亦可依客户的规格及需求,订制生产 如有需要请与我联系 电话:0512-50111580 手机:18962647580 Q Q: 841860042 邮箱:saijiao888@126.com 联系人:蔡修伟 地址:昆山市花桥商务城花安路183号 本店的宗旨:以诚为本,诚信经营。
品牌:QUEEN MAO 型号:MF1/4W 种类:色环电阻 性能:精密 材料:金属膜 制作工艺:非线绕型 外形:圆柱形 标称阻值:8.2R 允许偏差:±1% 温度系数:50PPM 额定功率:0.25(W) 功率特性:小功率 营销方式:厂家直销 产品性质:新品精密RJ电阻系列:涂覆封装,色码标志,合金真空电镀于瓷棒表面,经过切割调试阻值,以达到最终要求的精密阻值。金属膜电阻阻值范围广,有着精密阻值,精度高的特性.环保类别:无铅环保型产品主要用途: 精密电子仪器仪表 MF1/4W 1% 8.2R功率分类:小功率(<1W)精度类别:高精度型(≤1%) 外形结构特征: 圆柱体型 引出线类型:轴向引出 电话:0512-50111580 手机:18962647580 Q Q: 841860042 邮箱:saijiao888@126.com 联系人: 蔡修伟 地址:昆山市花桥商务城花安路183号