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耐压高PPN金属化薄膜电容

价 格: 42.00

品牌:CSD 型号:PPN 介质材料:有机薄膜 应用范围:耦合 外形:方块状 功率特性:大功率 频率特性:中频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:±10(%) 耐压值:1000(V) 标称容量:0.001uF~0.47uF(uF) 损耗:≤1.0%(20℃ 1KHz) 额定电压:100VDC/63VAC.250VDC/160VAC-400VDC/200VAC-630VDC/220VAC(V)

金属化聚丙烯薄膜电容器PPN

具体规格:

应用标准 :GB/10188(IEC60384-13)

气候类别:40/85/21

额定电压100Vdc,250Vdc,400Vdc,630Vdc

容量范围0.001μF0.47μF

容量偏差:±2%(G) ;±5%(J);±10%(k)

耐电压: 2.0UR(5S)

工作温度:-40℃~+85

损耗角正切:0.1%(201kHZ)

绝缘电阻:50000MΩ;C0.1μF,5000MΩ;C0.3μF; 20,100v 1min

特征:

1.低损耗和高绝缘阻抗

2.容量和损耗因素高稳定性

3.在相同温度下及频率下,串联等效电阻低。无感应式

用途:

适用于耦合,滤波,温度补偿和通讯,数据处理,工业仪表,自动控制系统和其他的电子设备。

深圳市创硕达电子有限公司
公司信息未核实
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圆片形金属化聚酯薄膜旁路电容MER

信息内容:

品牌:CSD 型号:MER 介质材料:有机薄膜 应用范围:旁路 外形:长方形 功率特性:大功率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:±10(%) 耐压值:630(V) 标称容量:0.001~10uF(uF) 损耗:±5%(J); ±10%(K); 额定电压:50/63VDC-100VDC~250VDC~400VDC-630VDC.1000/1200V(V)圆片形金属化聚酯薄膜旁路电容MER引用标准:GB7332 (IEC60384-2)气候类别:40/100/21额定电压: 50/63Vdc-100VDC/63VAC.250Vdc/160VAC-400Vdc/200VAC-630Vdc/220VAC容量范围:0. 001μF~10μF容量偏差:;±5%(J);±10%(k)耐电压: 1.6UR(5sec)工作温度:-40℃~+100℃ 损耗角正切:≤1.0%(20℃1kHZ)绝缘电阻:≥3×104MΩ;C≤0.33μF,≥1×104MΩ;C>0.33μF;(20℃,100v 1min)特征用途: 1.高阻抗,无感式结构,金属化聚酯膜卷绕 2.容量的可靠性和稳定性高,同时有自复特性。 3.阻燃材料做包封材料4.用于直流和脉动电路,用于各种电子电器工业设备的滤波,隔直,旁路耦合,降噪等。

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圆片形CL11涤纶电容PEI

信息内容:

品牌:国产 型号:PEI 介质材料:有机薄膜 应用范围:旁路 外形:长方形 功率特性:大功率 频率特性:中频 引线类型:同向引出线 允许偏差:±20(%) 耐压值:1000(V) 标称容量:0.001~0.47uF(uF) 损耗:≤1.0%(20℃ 1KHz) 额定电压:50/63VDC-100VDC/63VAC 250VDC/160VAC-400VDC/200VAC-630VDC/220VAC(V)圆片形CL11涤纶电容PEI引用标准:GB6346(IEC60384-11)气候类别:40/085/21额定电压:50V,63/100V,160/250V,400Vdc,630Vdc,1000/1200V容量范围:0. 001μF~0.47μF容量偏差:±5%(J);±20%(k)±200%(M)耐电压: 2.0UR(5S)工作温度:-40℃~+105℃损耗角正切:≤0.1%(20℃1kHZ)绝缘电阻:≥30000MΩ;C≤0.1μF,≥10000MΩ;C>0.1μF;(20℃,100v 1min)特征用途:体积小,重量轻,价格低引线直接电焊于电极,损耗小环氧料真空包封 dzsc/18/2438/18243897.jpg

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