P沟道场效应管IRLML6401TRPBF全新
| 价 格： | 800.00 |
品牌:IR美国国际整流器 型号:IRLML6401TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:-12（V） 夹断电压:±8.0（V） 低频跨导:N/A（μS） 极间电容:830（pF） 低频噪声系数:1.0MHZ（dB） 漏极电流:-4.3（mA） 耗散功率:1.3（mW）
型号：IRLML6401TRPBF
品牌：International Rectifier 美国IR国际整流器
封装：SOT-23 SMD表面贴装型
批号：2010+全新无铅环保
最小包装：3000/reel Available in Tape and Reel （可提供样品测试，量大价优，货源稳定）
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
SOT-23 Footprint
Low Profile (<1.1mm)
Available in Tape and Reel
Fast Switching
1.8V Gate Rated
Description
These P-Channel MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve extremely
low on-resistance per silicon area. This benefit, combined
with the fast switching speed and ruggedized device design
that HEXFET? power MOSFETs are well known for, provides
the designer with an extremely efficient and reliable device
for use in battery and load management.
A thermally enhanced large pad leadframe has been
incorporated into the standard SOT-23 package to produce
a HEXFET Power MOSFET with the industry's smallest
footprint. This package, dubbed the Micro3?, is ideal for
applications where printed circuit board space is at a
premium. The low profile (<1.1mm) of the Micro3 allows it
to fit easily into extremely thin application environments
such as portable electronics and PCMCIA cards. The thermal
resistance and power dissipation are the best available.
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 郑泽涛
- 电话：0755-83253993
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专营射频放大器3SK177-T1B超高频电视调谐器
信息内容：品牌:NEC(日本） 型号:2SK177-T1B 种类:高频头 标称频率:1K（MHz） 调整频差:1（MHz） 温度频差:900（MHz） 总频差:900（MHz） 负载电容:1000（pF） 负载谐振电阻:47（Ω） 激励电平:200（mW） 基准温度:125（℃） 插入损耗:1.0（dB） 阻带衰减:0.02（dB） 输入阻抗:47（kΩ） 输出阻抗:50（kΩ）型号：3SK177-T1B 品牌：NEC（日本原装进口）封装：SOT-143/SOT23-4（PIN-4） 批号：09+无铅RoSH数量：本公司长期备有大量现货库存，货源稳定，价格有优势！ 描叙：射频放大器。超高频电视调谐器N沟道砷化镓双栅的MES场效应晶体管FEATURESFEATURES• Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner.• Low Crss : 0.02 pF TYP.• High GPS : 20 dB TYP.• Low NF : 1.1 dB TYP.dzsc/18/2662/18266202.jpg
