品牌:创硕达 型号:X2 介质材料:有机薄膜 应用范围:安规 外形:方块状 功率特性:小功率 频率特性:高频 调节方式:微调 引线类型:同向引出线 允许偏差:±10(%) 耐压值:275(V) 标称容量:0.0047μF~4.7μF(uF) 损耗:±10%(k); ±20%(m); 额定电压:275(V) 温度系数:-40℃~+110℃
盒式金属聚丙烯膜抗干扰安规电容器X2
引用标准:IEC384-14,EN132400,GB/14472,UL1283UL1414
气候类别:40/110/56
额定电压:250/275Vac
容量范围:0.0047μF~4.7μF
容量偏差:±10%(k);±20%(m);
耐电压:
Between terminals:2100Vdc(1s).C≤1.0uf ;1800Vdc(1s).c>1.0uf
Between terminals to case:2050Vac(2S)
工作温度:-40℃~+110℃
损耗角正切:≤0.1%(20℃1kHZ)
绝缘电阻:≥15000MΩ;C≤0.33μF,≥5000MΩ;C>0.3μF;100v 1min
特征用途:
3.适应于跨接电源,旁路电路耦合,飞狐电路,EMI滤波,开关电源,电动工具及其他有安全需求,抑制干扰要求的电子线路和电子设备中。
品牌:CSD 型号:PPS 介质材料:有机薄膜 应用范围:高压 外形:长方形 功率特性:大功率 频率特性:中频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:±10(%) 耐压值:2000(V) 标称容量:0.001uF~0.033uF(uF) 损耗:≤1.0% 20℃,100V,1min 额定电压:1000VDC-1250VDC,1600VDC,2000VDC(V)高频低损耗高压聚丙烯内串式电容器PPS具体规格:引用标准 :GB/T1479(IEC60384-17)气候类别:40/85/56额定电压:100Vdc -1250Vdc,1600Vdc,2000Vdc容量范围:0.001μF~0.033μF容量偏差:±2%(G) ;±5%(J);±10%(k)耐电压: 1.75UR(5S)工作温度:-40℃~+85℃损耗角正切:≤0.1%(20℃1kHZ)绝缘电阻:≥50000MΩ(20℃,100v 1min)特征:1.启动电压高2.电流额定值高,dv/dt高3.导电极为串联结构4.自我恢复性用途:应用于高频,高脉冲上升时间电路和缓冲降压开关电源,高压电源及照明整流器。
品牌:CSD创硕达 型号:CBB21,MPR 介质材料:有机薄膜 应用范围:补偿 外形:长方形 功率特性:中功率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:±5(%) 耐压值:630(V) 标称容量:0.01uf--3.3uf(uF) 损耗:≦1.0%(20℃1KHZ) 额定电压:100VDC/3VAC,200VAC-630VDC-220VAC(V)金属化聚丙烯膜电容器MPR具体规格:引用标准 :GB10190(IEC60384-16)气候类别:40/85/21额定电压:100VDC/63VAC.250Vdc/160VAC-400Vdc/200VAC-630Vdc/220VAC容量范围:0.001μF~3.3μF容量偏差:±5%(J);±10%(K)耐电压:1.6Ur(5S)工作温度:-40℃~+105℃损耗角正切:≤1.0%(20℃1kHZ)绝缘电阻:≥50000MΩ;C≤0.33μF,≥15000MΩ;C>0.3μF;20℃100v 1min特征:1.低损耗和高绝缘阻抗2.容量及DF高稳定性和有自复性用途:适用于耦合,滤波整流和计时电路,远程通讯,数据处理,工业仪表和自动控制系统和设备中。