IRF830 场效应管
| 价 格： | 面议 |
品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRF830 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:标准（V） 夹断电压:标准（V） 低频跨导:标准（μS） 极间电容:标准（pF） 低频噪声系数:标准（dB） 漏极电流:标准（mA） 耗散功率:标准（mW）
N-CHANNEL 100V - 0.115 W - 14A TO-220
LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
n TYPICAL RDS(on) = 0.115W
n AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
n 100% AVALANCHE TESTED
n LOW GATE CHARGE
n HIGH CURRENT CAPABILITY
n 175 oC OPERATING TEMPERATURE
DESCRIPTION
This MOSFET series realized with STMicroelectronics
unique STripFET™ process has specifically been
designed to minimize input capacitance and gate charge.
It is therefore suitable as primary switch in advanced
high-efficiency, high-frequency isolated DC-DC
converters for Telecom and Computer applications. It is
also intended for any applications with low gate drive
requirements.
APPLICATIONS
n HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED
n SOLENOID AND RELAY DRIVERS
n REGULATOR
n DC-DC & DC-AC CONVERTERS
n MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
n AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, etc.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 郑俊平
- 电话：0755-82567716
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7N60/SVD7N60/SVD7N60F/场效应管 MOS管 SILAN 士兰
信息内容：士兰微SILAN SVD7N60 TO-220F封装 原装，样品不免费提供，订货以 一管50只为标准，详细参数如下介绍。dzsc/18/8777/18877776.jpg dzsc/18/8777/18877776.jpgdzsc/18/8777/18877776.jpgdzsc/18/8777/18877776.jpgdzsc/18/8777/18877776.jpgdzsc/18/8777/18877776.jpg
10N65/SVD10N65/SVD10N65F/场效应管 MOS管 SILAN士兰微
信息内容：士兰SILAN SVD10N65 TO-220F封装，原装，不免费提供样品，订货以一管50只为标准，详细参数如下介绍。dzsc/18/8788/18878842.jpgdzsc/18/8788/18878842.jpgdzsc/18/8788/18878842.jpgdzsc/18/8788/18878842.jpgdzsc/18/8788/18878842.jpgdzsc/18/8788/18878842.jpgdzsc/18/8788/18878842.jpgdzsc/18/8788/18878842.jpgdzsc/18/8788/18878842.jpgdzsc/18/8788/18878842.jpgdzsc/18/8788/18878842.jpg
