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供应可控硅晶闸管模块 MTC

价 格: 面议
型号/规格:MTC110A/1600V
品牌/商标:ATZC

型号

IT(AV)@Tc

VDRM
VRRM

VTM@ITM

IDRM
IRRM

IGT

VGT

IH

dv/dt

di/dt

ITSM

VTO

rT

Rjc

Tjm

Viso

外型

A

°C

V

V

A

mA

mA

V

mA

V/μs

A/μs

A×103

V

°C/W

°C

V(A.C)

 

MTx25

25

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8

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M220H3

MTx40

40

85

600-1800

1.60

120

8

100

2.5

150

800

50

1.00

0.85

5.57

0.650

125

2500

M220H3

MTx55

55

85

600-1800

1.50

170

8

100

2.5

150

800

50

1.25

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2500

M220H3

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55

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1.96

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10

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3.0

150

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50

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125

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M220Y3

MTx70

70

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10

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50

1.60

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2500

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70

70

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1.93

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12

150

3.0

150

800

50

1.60

0.90

4.64

0.450

125

3600

M225Y3

MTx90

90

85

600-1800

1.70

270

10

100

2.5

150

800

100

2.00

0.80

3.01

0.280

125

2500

M225H3

MTx90H

90

70

1900-3000

1.92

270

15

150

3.0

150

800

100

2.00

0.90

3.26

0.280

125

3600

M225Y3

MTx110

110

85

600-1800

1.69

330

12

100

2.5

150

800

100

2.4

0.80

2.29

0.250

125

2500

M225H3

北京安泰科技发展有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:北京 北京市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 王英
  • 电话:010-62146748
  • 传真:010-62149408
  • 手机:
  • QQ :QQ:1034280585
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供应可控硅晶闸管模块MTC160A/1600V

信息内容:

型号 IT(AV)@Tc VDRMVRRM VTM@ITM IDRMIRRM IGT VGT IH dv/dt di/dt ITSM VTO rT Rjc Tjm Viso 外型 A °C V V A mA mA V mA V/μs A/μs A×103 V mΩ °C/W °C V(A.C) MTx25 25 85 600-1800 1.69 80 8 100 2.5 150 800 50 0.55 0.85 9.68 0.950 125 2500 M220H3 MTx40 40 85 600-1800 1.60 120 8 100 2.5 150 800 50 1.00 0.85 5.57 0.650 125 2500 M220H3 MTx55 55 85 600-1800 1.50 170 8 100 2.5 150 800 50 1.25 0.85 3.47 0.530 125 2500 M220H3 MTx55H 55 70 1900-3000 1.96 170 10 150 3.0 150 800 50 1.15 0.90 5.85 0.640 125 3600 M220Y3 MTx70 70 85 600-1800 1.48 210 10 100 2.5 150 800 50 1.60 0.80 2.64 0.410 125 2500 ...

详细内容>>

供应可控硅晶闸管模块MTC250A/1600V

信息内容:

特 点 典型应用 说明 1、芯片与底板电气绝缘2、国际标准封装3、全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力4、350A以下模块皆为强迫风冷,400A以上模块既可选用风冷, 也可选用水冷5、安装简单,使用维修方便6、体积小,重量轻 1、交直流电制2、各种整流源3、工业加热制4、调光5、无触点开关6、电机软起动7、静止无功补偿8、电焊机9、变频器10、UPS电源11、电池充放电 1、VRSM=VRRM+200V 2、除非另做说明,IGT,VGT,IH,VTM,Viso为25℃测试值 表中其他数皆在 Tjm 下的测试值。 3、当使用在电流为60HZ情况下:ITSM(8.3ms)=ITSM(10ms)×1.066, Tj=TjmI2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm4、VTO:门槛电压,rT斜率电阻 仅供设计时计算器件的功耗以及不同温度条件下的 电流额定值之用。 5、I2t=I2FSMtW/2; tw=正弦半波电流底宽。在50HZ情况下, I2t(10ms)=0.005I2FSM(A2S) 晶闸管模块 型号 IT(AV)@Tc VDRMVRRM VTM@ITM IDRMIRRM IGT VGT IH dv/dt di/dt ITSM VTO rT Rjc Tjm Viso 外型 A °C V V A mA mA V mA V/μs A/μs A×103 V mΩ...

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