供应贴片高速双向开关三极管BAV99 A7W
| 价 格： | 0.15 |
品牌:NXP恩智浦 型号:BAV99 应用范围:开关 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:SOT-23 封装材料:塑料封装 功率特性:小功率 频率特性:低频 发光颜色:电压控制 出光面特征:矩形 发光强度角分布:标准型
贴片三极管 NXP系列原装现货 价格优势 质量保证 诚信经销 服务客户
芯杰电子公司是一家集销售半导体电子元器件的贸易公司，主要经营世界元器件。安森美ON品牌，意法半导体ST,恩智浦NXP,国际整流IR,德州仪器TI等。二极管，整流桥。三极管，IC公司常备大量现货库存,为了能更加方便顾客买到全新原装产品，我们采取的是以诚取胜的销售策略,我们奉行的是真诚守信,微利多销的经营宗旨.我们始终坚持以客户为中心,对于高品质的追求将永无止境,而对于客户的服务也将是我们长期坚持不懈并照例提高的工作之一.公司所有产品常备现货供应，不但为顾客赢得了宝贵的时间，而且提高了工作效率。不论在何时何地芯杰电子有限公司全体同仁将会以崭新的面貌，和更加饱满的热情服务于支持和关心我们的客户。
主营二极管：稳压二极管，快速二极管，超快速二极管，整流二极管，肖特基，快恢复，开关二极管，整流桥堆。主要封装有：SMA，SMB，SMC，DO-35，DO-41，DO-15，DO-27，DO-201，P-600，DIP-4，WOB，SMD-4，MD，扁桥，排桥，方桥等。
主营三极管：肖特基，MOS场效应，三端稳压，达林顿，晶体三极管，封装有：TO-92，TO-126，TO-220，TO-3P，TO-247，TO-263，TO-252，TO-251，SOT-23，SOT-323，SOT-89，SOT-223等。
电解电容，钽电容，电阻。
公司宗旨：质量、价格合理、用户至上
立足深圳，服务全国。我们希望能够在协助客户成长的同时自身获得良性的发展。我们坚信,只有实现双赢,才是的发展之道！
热情欢迎广大客户来人、来电咨询与采购！
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- 联系人： 张明杰
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供应IRFZ44N IR国际整流器场效应MOS管
信息内容：品牌:ST 型号:IRFZ44NPBF 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-INM/独立组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:SENSEFET电流敏感 开启电压:55（V） 低频跨导:5.0（μS） 极间电容:1470（pF） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:94000（mW）深圳市铭芯杰电子是一家从事二极管三极管 光耦 单片机 场效应NXP ON FAIRCHILD ST MIC IR 等系列产品的电子元器件商行.本商行只经销原装环保产品,高质量的产品,赢得了广大客户的信赖与支持. 大量原装现货,为客户提供了稳定的渠道.欢迎新老客户光临指导.主营二极管：稳压二极管，快速二极管，超快速二极管，整流二极管，肖特基，快恢复，开关二极管，整流桥堆。主要封装有：SMA，SMB，SMC，DO-35，DO-41，DO-15，DO-27，DO-201，P-600，DIP-4，WOB，SMD-4，MD，扁桥，排桥，方桥等。主营三极管：肖特基，MOS场效应，三端稳压，达林顿，晶体三极管，快恢复三极管，开关三极管。封装有：TO-92，TO-126，TO-220，TO-3P，TO-247，TO-263，TO-252，TO-251，SOT-23，SOT-323，SOT-89，SOT-223等。l Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175°C Operating Temperaturel Fast Swi...
IR国际整流器系列 场效应MOS管
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF系列 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 10（V） IRF9540 TO-220封装 IR美国国际整流器 50/管 原装环保 现货 系列IRF TO-220 TO-247 原装进口现货 欢迎查询IRF9540参数Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt Ratingl 175°C Operating Temperaturel Fast Switchingl P-Channell Fully Avalanche Rated5/13/98SDGTO-220ABDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefit, combined with the fast switching speed andruggedized device desi...
