三象限可控硅、双向可控硅BTA04-800CW
| 价 格： | 面议 |
品牌:国产 型号:BTA04-800CW 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:树脂封装 封装外形:TO-220 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:小功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:4（A） 控制极触发电压:1.3（V） 控制极触发电流:15（mA） 正向重复峰值电压:800（V） 反向阻断峰值电压:800（V）
*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产
*芯片一致性好，参数稳定
*封装车间达到国际无尘标准
*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产
型号：BTA04-800CW |
电流/IT(RMS)：4(A) |
电压/VDRM：800V |
触发电流/IGT：15mA |
触发电压/VGT： |
VD=12V；IT=0.1A； 0.6～1.5V |
VD=VDRM(max)；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V |
工作温度：125℃(储存温度：-40～+150℃) |
门极散耗功率：0.5W |
供应BTA04-800CW,价格合理,有意者请联系! |
- 所属城市：广东 深圳
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高压可控硅、三象限可控硅BTA25-1200CW
信息内容：品牌:国产 型号:BTA25-1200CW 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:树脂封装 封装外形:TO-220 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:大功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:25（A） 控制极触发电压:1.3（V） 控制极触发电流:10-15（mA） 正向重复峰值电压:1200（V） 反向阻断峰值电压:1200（V）*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产*芯片一致性好，参数稳定*封装车间达到国际无尘标准*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产 型号：BTA25-1200CW电流/IT(RMS)：25(A)电压/VDRM：(1200V)触发电流/IGT：10-15mA触发电压/VGT： VD=12V；IT=0.1A； 0.6～1.5V VD=VDRM(max)；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V 工作温度：125℃(储存温度：-40～+150℃)门极散耗功率：0.5W供应BTA25-1200CW,价格合理,有意者请联系!
单向可控硅、微触发可控硅2P4M
信息内容：品牌:国产 型号:2P4M 控制方式:单向 极数:四极 封装材料:树脂封装 封装外形:TO-126 关断速度:普通 散热功能:不带散热片 功率特性:小功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:2（A） 控制极触发电压:0.8（V） 控制极触发电流:0.2（mA） 正向重复峰值电压:400（V） 反向阻断峰值电压:400（V）*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产*芯片一致性好，参数稳定*封装车间达到国际无尘标准*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产 型号：2P4NM电流/IT(RMS)：2(A)电压/VDRM：400V触发电流/IGT：100uA触发电压/VGT： VD=12V；IT=0.1A； 0.6～1.5V VD=VDRM(max)；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V 工作温度：125℃(储存温度：-40～+150℃)门极散耗功率：0.5W供应2P4M,价格合理,有意者请联系!
