微触发可控硅、单向可控硅BT258X-600R
| 价 格： | 面议 |
品牌:国产 型号:BT258X-600R 控制方式:单向 极数:四极 封装材料:树脂封装 封装外形:TO-220 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:中功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:8（A） 控制极触发电压:1.3（V） 控制极触发电流:0.2（mA） 正向重复峰值电压:600（V） 反向阻断峰值电压:600（V）
*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产
*芯片一致性好，参数稳定
*封装车间达到国际无尘标准
*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产
型号：BT258X-600R |
电流/IT(RMS)：8(A) |
电压/VDRM：600V |
触发电流/IGT：200uA |
触发电压/VGT： |
VD=12V；IT=0.1A； 0.6～1.5V |
VD=VDRM(max)；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V |
工作温度：125℃(储存温度：-40～+150℃) |
门极散耗功率：0.5W |
供应BT258X-600R,价格合理,有意者请联系! |
- 所属城市：广东 深圳
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单向可控硅、微触发可控硅PCR406
信息内容：品牌:国产 型号:PCR406 控制方式:单向 极数:四极 封装材料:树脂封装 封装外形:TO-92 关断速度:普通 散热功能:不带散热片 功率特性:小功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:0.6（A） 控制极触发电压:0.8（V） 控制极触发电流:0.2（mA） 正向重复峰值电压:400（V） 反向阻断峰值电压:400（V）*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产*芯片一致性好，参数稳定*封装车间达到国际无尘标准*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产 型号：PCR406电流/IT(RMS)：0.6(A)电压/VDRM：(400V)触发电流/IGT：200uA触发电压/VGT： VD=12V；IT=0.1A； 0.6～1.5V VD=VDRM(max)；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V 工作温度：125℃(储存温度：-40～+150℃)门极散耗功率：0.5W供应PCR406,价格合理,有意者请联系!
三象限可控硅、双向可控硅BTA25-800CW
信息内容：品牌:国产 型号:BTA25-800CW 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:树脂封装 封装外形:TO-220 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:大功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:25（A） 控制极触发电压:1.3（V） 控制极触发电流:10-15（mA） 正向重复峰值电压:800（V） 反向阻断峰值电压:800（V）*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产*芯片一致性好，参数稳定*封装车间达到国际无尘标准*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产 型号：BTA25-800CW电流/IT(RMS)：25A)电压/VDRM：(800V)触发电流/IGT：10-15mA触发电压/VGT： VD=12V；IT=0.1A； 0.6～1.5V VD=VDRM(max)；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V 工作温度：125℃(储存温度：-40～+150℃)门极散耗功率：0.5W供应BTA25-800CW,价格合理,有意者请联系!
