单向可控硅、微触发可控硅BT169
| 价 格： | 面议 |
品牌:国产 型号:BT169 控制方式:单向 极数:四极 封装材料:树脂封装 封装外形:TO-92 关断速度:普通 散热功能:不带散热片 功率特性:小功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:0.8（A） 控制极触发电压:0.8（V） 控制极触发电流:0.2（mA） 正向重复峰值电压:600（V） 反向阻断峰值电压:600（V）
*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产
*芯片一致性好，参数稳定
*封装车间达到国际无尘标准
*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产
型号：BT169 |
电流/IT(RMS)：0.8(A) |
电压/VDRM：600V |
触发电流/IGT：200uA |
触发电压/VGT： |
VD=12V；IT=0.1A； 0.6～1.5V |
VD=VDRM(max)；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V |
工作温度：125℃(储存温度：-40～+150℃) |
门极散耗功率：0.5W |
供应BT169,价格合理,有意者请联系! |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 洪珍珍
- 电话：0755-61282239
- 传真：0755-61282239
- 手机：
- QQ ：
三象限可控硅、双向可控硅BTA20-800BW
信息内容：品牌:国产 型号:BTA20-800BW 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:树脂封装 封装外形:TO-220 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:中功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:20（A） 控制极触发电压:1.3（V） 控制极触发电流:25（mA） 正向重复峰值电压:800（V） 反向阻断峰值电压:800（V）*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产*芯片一致性好，参数稳定*封装车间达到国际无尘标准*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产 型号：BTA20-800BW电流/IT(RMS)：20(A)电压/VDRM：800V触发电流/IGT：25mA触发电压/VGT： VD=12V；IT=0.1A； 0.6～1.5V VD=VDRM(max)；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V 工作温度：125℃(储存温度：-40～+150℃)门极散耗功率：0.5W供应BTA20-800BW,价格合理,有意者请联系!
微触发可控硅、双向可控硅BTB04-600SL
信息内容：品牌:国产 型号:BTB04-600SL 控制方式:双向 极数:四极 封装材料:树脂封装 封装外形:TO-220 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:小功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:4（A） 控制极触发电压:1.3（V） 控制极触发电流:5（mA） 正向重复峰值电压:600（V） 反向阻断峰值电压:600（V）*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产*芯片一致性好，参数稳定*封装车间达到国际无尘标准*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产 型号：BTB04-600SL电流/IT(RMS)：4(A)电压/VDRM：600V触发电流/IGT：5mA触发电压/VGT： VD=12V；IT=0.1A； 0.6～1.5V VD=VDRM(max)；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V 工作温度：125℃(储存温度：-40～+150℃)门极散耗功率：0.5W供应BTB04-600SL,价格合理,有意者请联系!
