各种单向可控硅，普通可控硅，KP
| 价 格： | 160.00 |
品牌:国产 型号:KP02GXX 控制方式:单向 极数:三极 封装材料:陶瓷封装 封装外形:平板形 关断速度:普通 散热功能:不带散热片 功率特性:中功率 额定正向平均电流:200（A） 控制极触发电压:3.0（V） 控制极触发电流:250（mA） 正向重复峰值电压:2200～3000（V） 反向阻断峰值电压:2200～3000（V）
大功率可控硅（晶闸管）
High Power Thyristors
大功率晶闸管管芯直径达125mm,烧结式全压接、特殊表面钝化及冷压封装等工艺制成。其特点有阻断电压高、通态压降低、稳定性可靠性高、性能理想、外形美观。 适用于高电压直流输电，静止无功补偿，交—交变频，电力电源，电机控制，电力开关等装置，是机电一体化的重要基础器件。
型号 | IT(AV)(A) | VDRM,VRRM | Tjm | VGT | IGT | VTM | ITM | F | m | 管壳 代号 |
(TC=70℃) | (V) | (℃) | (V) | (mA) | (V) | (A) | (kN) | (kg) | ||
KP02Gxx | 200 | 2200～3000 | 125 | 3.0 | 250 | 2.60 | 600 | 8 | 0.21 | 1 |
KP03Gxx | 300 | 600～2000 | 125 | 1.75 | 600 | 8 | 0.21 | 1 | ||
KP03Dxx | 300 | 2200～3200 | 125 | 2.20 | 600 | 12 | 0.30 | 2 | ||
KP04Gxx | 400 | 1400～2000 | 125 | 1.50 | 600 | 12 | 0.30 | 2 | ||
KP05Exx | 500 | 600～1200 | 125 | 1.15 | 600 | 12 | 0.30 | 2 |
- 所属城市：四川 成都
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电力整流模块(适用于整流电源，稳压电源)
信息内容：品牌:鸿力 型号:MDC，MDK，MDA 应用范围:电源 整流元件:全桥 功率特性:中功率 直流输出电流:400（A） 反向重复峰值电压:1200~1600（V） 反向重复峰值电流:20~30（mA） 绝缘电压:3500（V） 工作结温:85（℃） 效率:80（%）电力整流模块 Power Rectifier Modules 应用该整流模块可方便地组成单相全桥、三相全桥电路。广泛应用于各种整流电源、稳压电源，具有体积小、重量轻、便于安装与维修、可靠性和稳定性高等优点。 IF(AV)VRRMIFSMVFMIRRMRjc外形(A)(V)(A)(V)(mA)(℃/W)1601200～160022401.8200.18120028001.8200.161、225035001.7250.13230042001.7250.102、335049001.6300.082、340056001.6300.063注：对各档次IF(AV)，均有MDC、MDK、MDA三种型式。 dzsc/18/2305/18230513.jpg
超大功率光控可控硅（晶闸管）(LTT)，KL
信息内容：品牌:国产 型号:KL 控制方式:光控 极数:二极 封装材料:陶瓷封装 封装外形:平板形 关断速度:普通 散热功能:不带散热片 功率特性:大功率 额定正向平均电流:1200~8130（A） 正向重复峰值电压:7000（V） 反向阻断峰值电压:7000（V）超大功率光控晶闸管（LTT)超大功率光控晶闸管制造技术，专门供应大型直流输电工程所需相控器件。特性:(1) BOD过压保护 (2) dv/dt保护(3) NTV焊接—高浪涌电流和低热阻值 (4) PECVD-a-C:H表面保护型号VBOVVRRMVITRMSMAI2tA2s10msTvjmax103ITSMKA10msTvjmaxVT/ITV/KATvjmaxITAVM180°elsinTC=85℃KL0665007000120068411.72.65/1.0550KL1875007500～80003800800040.03.0/4.01760KL2675007500～800056001570056.02.95/6.02560KL3852005220813050000100.01.8/6.03845
