产品名称 | JW1FHN-DC24V |
型号 | AJW4512 |
特点 | 耐浪涌电压10000V,最适合于电源用的窄长型功率继电器 |
触点构成 | 1c High capacity |
材料 | AgSnO2 |
触点动作 | BBM |
控制容量(电流) | 10A AC/10A DC |
控制容量(电压) | 250V AC/30V DC |
最小适用负载(参考值) | 100mA 5V DC |
自保持型 | Single side stable |
线圈额定电压 | 24V DC |
额定消耗功率 | 530mW |
吸合电压 | 16.8V DC |
释放电压 | 2.4V DC |
机械寿命 | 5x10^6 |
电气寿命 | 1x10^5 |
耐电压(触点间) | 1000Vrms |
耐电压(触点-线圈间) | 5000Vrms |
使用环境温度 | -40℃ ~ +60℃ |
绝缘类型 | Class E |
保护构造 | Sealed |
端子形状 | PCB, Thru-hole |
选件 | Terminal Block/Socket |
国外标准 |
UL/CSA, VDE, SEMKO, FIMKO, SEV, TUV |
供应900V,11A TO-3P N-CH MOSFET管FQA11N90 FQA11N90900V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionThese N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored tominimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in theavalanche and commutation mode. These devices are wellsuited for high efficiency switch mode power supply.Features• 11.4A, 900V, RDS(on) = 0.96 Ω @ VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 72 nC)• Low Crss ( typical 30 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability IGBT管的万用表检测方法 IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻,对于正常的 IGBT 管(正常...
产品名称 JW1FSN-DC24V 型号 AJW4212 特点 耐浪涌电压10000V,最适合于电源用的窄长型功率继电器 触点构成 1c High capacity 材料 AgSnO2 触点动作 BBM 控制容量(电流) 10A AC/10A DC 控制容量(电压) 250V AC/30V DC 最小适用负载(参考值) 100mA 5V DC 自保持型 Single side stable 线圈额定电压 24V DC 额定消耗功率 530mW 吸合电压 16.8V DC 释放电压 2.4V DC 机械寿命 5x10^6 电气寿命 1x10^5 耐电压(触点间) 1000Vrms 耐电压(触点-线圈间) 5000Vrms 使用环境温度 -40℃ ~ +60℃ 绝缘类型 Class E 保护构造 Sealed 端子形状 PCB, Thru-hole 选件 Terminal Block/Socket 国外标准 UL/CSA, VDE, SEMKO, FIMKO, SEV, TUVdzsc/18/2280/18228061.jpg dzsc/18/2280/18228061.jpg