供应超低功耗高精度电压检测器BL8506-33CRM
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BL8506-33CRM,印记:C633 | |
| 品牌/商标： | BELLING |
概述：
BL8506 系列电压检测器，具有高精度，极
低功耗（VDD＝3.0V 时，IQ＝500nA）的特点。
同时，极宽的工作电压范围（0.7V≦VDD≦
10V），使得BL8506 非常适合用于系统复位的
应用中。
BL8506 的内部电路由高精度参考源，电压
比较器，输出电路和电阻网络等模块组成。监测
电压在芯片内部预先确定，具有高精度，低温漂
的特性，无需外部校准。
BL8506 电压检测器的输出有CMOS 和N 沟
道漏极开路两种形式可供选择。
BL8506 可提供SOT-23-3，SOT-23-5，
SOT-89-3 ，SC-82AB， TO-92 等多种封装形
式。
特点：
• 检测电压的精度高达±2%
• 检测电压范围是0.9V~6V，每100mV 为间隔
(可根据客户需求定制)
• 回滞电压典型值为4%
• 工作电压范围极宽，为0.7V~10V
• 超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)
• CMOS 和N 沟道漏极开路两种输出形式
• SOT-23-3， SOT-23-5 ，SOT89 -3，
SC82AB ，TO-92 等多种封装形式
典型应用：
• 逻辑电路复位
• 电池电压检测
• 电压窗口比较
• 后备电源管理
BL8506系列：主要特点为COMS及NMOS开漏输出工艺，高精度低功耗，高性价比
代换TOREX：XC61CCXC61CN系列 精工S-808系列; 理光R3111N、R3111H系列产品
RM(SOT-23-3)
RN(SOT23-5)
SM(SOT89
- 所属城市：广东 深圳
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供应大功率继电器NRP14-C12DH
信息内容：FLA1H 29.5×13×20.6 • 16A switching capability• SPST-NO&SPDT configuration• Small footprint• Sealed version available • Transparent sealed available• Class B/F available• Conform to RoHS,ELV directive 触点参数 触点形式 1H/1Z 触点材料 Silver Alloy 负载 Resistive load(COSØ=1) 触点负载 16A 250VAC16A 30VDC 最小负载 100mA 5VDC 转换电压 250VAC/30VDC 转换电流 16A 转换功率 4000VA/480W 接触电阻 100mΩMax at 6VDC 1A 电气寿命 100,000Operations(at30Operations/minute) 机械寿命 10,000,000Operations(at300Operations/minute) 性能参数 绝缘阻值 100MΩMin at 500VDC 触点间耐压 1000VAC(for one minute) 触点与线圈间耐压 5000VAC(for one minute) 吸合时间 20ms 释放时间 10ms 环境温度 -40°Cto+70°C 冲击 动作极限: 10G 破坏极限: 100G 振动 10-55Hz, 1.5mm 转换频率 Mechanical:18,000operations/hrElectrical:1,800operations/hr 湿度 40-85% 重量 Approx 14g 安规标...
供应MOSFET管 N-CH 50V 200MA SOT23-3 - BSS138
信息内容：BSS138N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionThese N-Channel enhancement mode field effecttransistors are produced using Fairchild’s proprietary,high cell density, DMOS technology. These productshave been designed to minimize on-state resistancewhile provide rugged, reliable, and fast switchingperformance.These products are particularly suited forlow voltage, low current applications such as smallservo motor control, power MOSFET gate drivers, andother switching applications.Features• 0.22 A, 50 V. RDS(ON) = 3.5Ω @ VGS = 10 VRDS(ON) = 6.0Ω @ VGS = 4.5 V• High density cell design for extremely low RDS(ON)• Rugged and Reliable• Compact industry standard SOT-23 surface mountpackage 自动翻译： BSS138 N-Channel逻辑水平的提高模式场效应晶体管 总体描述 这些N-Channel增强模式磁场效应 晶体管是使用了费雅嘉专有的, 细胞密度、DMOS高技术。这些产品 被设计用来减少导通状态的抵抗 在提供坚固耐用,可靠,快速切换 ...
