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高频低损耗CBB21(MPR)金属化聚丙烯薄膜电容器

价 格: 面议

品牌:CSD创硕达 型号:CBB21,MPR 介质材料:有机薄膜 应用范围:滤波 外形:长方形 功率特性:中功率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:±5(%) 耐压值:630(V) 标称容量:0.01uf--3.3uf(uF) 损耗:≦1.0%(20℃1KHZ) 额定电压:100VDC/3VAC,200VAC-630VDC-220VAC(V)

高频低损耗金属化聚丙烯膜电容器MPR

具体规格:

引用标准 :GB10190(IEC60384-16)

气候类别:40/85/21

额定电压100VDC/63VAC.250Vdc/160VAC-400Vdc/200VAC-630Vdc/220VAC

容量范围0.001μF3.3μF

容量偏差:±5%(J);±10%(K)

耐电压:1.6Ur(5S)

工作温度:-40℃~+105

损耗角正切:1.0%(201kHZ)

绝缘电阻:50000MΩ;C0.33μF,15000MΩ;

C>0.3μF;20100v 1min

特征:

1.低损耗和高绝缘阻抗

2.容量及DF高稳定性和有自复性

用途:

适用于耦合,滤波整流和计时电路,远程通讯,数据处理,工业仪表和自动控制系统和设备中。

深圳市创硕达电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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供应高稳定CBB21(MPR)金属化聚丙烯薄膜电容器

信息内容:

品牌:CSD创硕达 型号:CBB21,MPR 介质材料:有机薄膜 应用范围:滤波 外形:长方形 功率特性:中功率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:±5(%) 耐压值:630(V) 标称容量:0.01uf--3.3uf(uF) 损耗:≦1.0%(20℃1KHZ) 额定电压:100VDC/3VAC,200VAC-630VDC-220VAC(V)金属化聚丙烯膜电容器MPR具体规格:引用标准 :GB10190(IEC60384-16)气候类别:40/85/21额定电压:100VDC/63VAC.250Vdc/160VAC-400Vdc/200VAC-630Vdc/220VAC容量范围:0.001μF~3.3μF容量偏差:±5%(J);±10%(K)耐电压:1.6Ur(5S)工作温度:-40℃~+105℃损耗角正切:≤1.0%(20℃1kHZ)绝缘电阻:≥50000MΩ;C≤0.33μF,≥15000MΩ;C>0.3μF;20℃100v 1min特征:1.低损耗和高绝缘阻抗2.容量及DF高稳定性和有自复性用途:适用于耦合,滤波整流和计时电路,远程通讯,数据处理,工业仪表和自动控制系统和设备中。

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CBB20椭圆型轴向金属化薄膜电容器

信息内容:

品牌:CSD 型号:CBB20 介质材料:有机薄膜 应用范围:耦合 外形:圆柱形 功率特性:小功率 频率特性:中频 调节方式:固定 引线类型:轴向引出线 允许偏差:±10(%) 耐压值:1000(V) 标称容量:0. 001μF~68μF(uF) 损耗:≤0.1%(20℃ 1kHZ) 额定电压:100VDC/63VAC.250Vdc/160VAC-400Vdc/200VAC-630Vdc/220VAC(V)CBB20椭圆型轴向金属化薄膜电容器引用标准:GB/10190(IEC60384-16)气候类别:40/85/56额定电压:100VDC/63VAC.250Vdc/160VAC-400Vdc/200VAC-630Vdc/220VAC容量范围:0. 001μF~68μF容量偏差:±0%(G) ;±5%(J);±10%(k)耐电压: 1.6UR(5S)工作温度:-40℃~+105℃损耗角正切:≤0.1%(20℃1kHZ)绝缘电阻:≥100000MΩ;C≤0.33μF,≥30000MΩ;C>0.3μF;20℃,100v 1min特征用途:使用在高频率电压及高频电源供应器,有优异的稳定性。容量范围广,高抗潮湿性,可靠性好。dzsc/18/2176/18217602.jpg

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