三菱高频分立MOSFET管 RD01MUS1
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | RD01MUS1 | |
| 品牌/商标： | MITSUBISHI（三菱） | |
| 封装形式： | SOT-89 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 小功率 |
三菱高频分立MOSFET管 RD01MUS1广泛应用用于移动通信基站、直放站、卫星通信、有线电视、雷达、无线本地环等领域。积极向国内生产和科研单位推荐新产品：日本三菱公司生产的系列射频功率放大模块、系列射频场效应三极管。多年以来已为国内众多的生产厂家、科研院所、大专院校、国家重要单位维修部门的生产、维修、研制开发新品、教学实验等提供了准确、快捷、方便的配套供货服务。在经营运作上,我公司批发、零售兼营，可向用户长期保证货源并保证供货品种的技术指标满足相关国际检测标准。
代理经销三菱、东芝RA,RD,S-AV,S-AU，2SC全系列射频元件：
RD07MVS1,RD07MVS1,RD07MVS1,RD15HVF1,RD30HVF1,RD70HVF1,RD01MUF1,RD30HUF1,RD60HUF1,RD10HMF1,
RD20HMF1,RD45HMF1,RD00HHS1,RD06HHF1,RD16HHF1,RD70HHF1,RD100HHF1,RD00HVS1,RD02MUS1,RD02MUS1,
RD02MUS1,RD02MUS1 。S-AV, S-AU, S-AV36A, S-AV32A, S-AU83AL, S-AU35A, 2SC2879A, 2SC2782A等。保证全新原装，批号，无铅环保，假一罚十。深圳、香港公司备有大量现货库存，量大优惠，也可提供样品，现特价热卖中！
三菱高频分立MOSFET管 RD01MUS1支撑无线通信网络。射频大功率硅模块作为数MHz～1GHz频率范围的移动无线通讯设备发射段功率放大用的关键部件，广泛用于政府部门及各种移动公务用无线电设备、业余无线电设备AMPS/GSM系统的汽车电话以及车载TELEMATICS市场等，今后仍将有力地支持无线通讯网络。
- 所属城市：广东 深圳
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射频变压器 TT1-6-KK81+
信息内容：Mini-Circuits 射频变压器 TT1-6-KK81+：50Ω 0.004 to 300 MHz RF TransformerFeatures● wideband, 0.004 to 300 MHz● good return loss● also available with plug-in (X65) and flat-pack (W38) leadsApplications● HF/VHF● impedance matching● balanced antennaMaximum Ratings● Operating Temperature ：-20°C to 85°C● Storage Temperature ：55°C to 100°C● RF Power： 250mW● DC Current ：30mAMini-Circuits 无论在技术上、服务上还是营销方式上都处于地位，其产品线涵盖了DC～20GHz内的几乎所有器件。产品类别丰富，广泛应用于各种无线通信、有线电视、工业控制、医疗电子、航空雷达等领域。小批量研制到规模化生产灵活的产品策略满足客户各种特殊要求，全方位的技术服务为目前的无线数据通信产业客户提供先进的产品。 备注：本司长期现货供应型号：TT1-6+,TT1.5-1+,TT16-1+,TT25-1+,TT4-1+,TT4-1A+,TT1-6-KK81+,TT1.5-1-KK81+,TT16-1-KK81+,TT25-1-KK81+,TT4-1-KK81+,TT4-1A-KK81+...
Infineon英飞凌IGBT单管 IKA15N60T
信息内容：深圳市浩时健供应IKA15N60T有非常低的VCE1.5伏（典型值）,结温175 ℃,短路承受时间- 5PS 600 V应用提供参数分布非常紧凑、高耐用性，温度稳定,非常高的开关速度Fx<50KHz,符合JEDEC标准应用,无铅铅镀,符合RoHS标准! IKA15N60T 的封装与K15T120和K15T1202不同,前者采用TO-220全绝缘封装后者属TO-247封装。但他们均属于N沟道IGBT，K15T120属英飞凌1200V低饱和压降型IGBT3单管，K15T1202属于1200V快速型IGBT4单管，他们的区别是硬开关频率。供应IKA15N60T K15T60 K15T120 K15T1202 英飞凌15A 600V及1200V IGBT单管,封装:TO-247/TO-220,饱和压降:1.7 V/1.5V.欢迎来电洽淡!FeaturesLow Loss DuoPack: IGBT inTrenchStop®and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diodeVery low VCE(sat)1.5 V (typ.)Maximum Junction Temperature 175 °CShort circuit withstand time – 5μsTrenchStop®and Fieldstop technology for 600 V applications offers:very tight parameter distributionhigh ruggedness, temperature stable behaviorvery high switching speedPositive temperature coefficient in VCE(sat)Low EMIQualified accordi...
