供应整流二极管1N4006 MIC
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 1N4006 | |
| 品牌/商标： | MIC | |
| 封装形式： | DO-41 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 高频 | |
| 整流电流： | 1A | |
| 反向击穿电流： | |
电流参数：IO=1A/IFSM=30A/IR=10μA
电压参数：URRM=URWM=UR=800V/URSM=1000V/UF=1.1V/UR(RMS)=560V
功 率：PD=3W
备 注：整流二极管(RF(AV)为Ta=75℃值)
- 所属城市：广东 深圳
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供应场效应管IRF740
信息内容：IRF740 概述 IRF740属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。 新系列的低电荷Power MOSFET IRF740LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术，IRF740LC性能得到增强且无需增加额外的成本，简化了栅极驱动需求，从而节省了系统总体开销。此外，在大量的高频应用中，IRF740LC减少了转换损耗，效能得到强化。 TO-220封装的IRF740普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF740得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF740适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率，导通阻抗。IRF740的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。 IRF740 参数 IRF740 基本参数 VDS 400 V ID @25℃ 10 A RDS(on) 0.55 mΩ IRF740 其他特性 FET极性 N型沟道 Qg (Max.)(nC) 63 nC IRF740 封装与引脚 TO-220, TO-263, TO-262 IRF740 特性 动态dv/dt率 可恢复性雪崩测定 快速转换速率 并行简易 仅需简单驱动 贴片安装 - IRF740S、IRF740AS 可选卷带包装 - IRF740S、IRF74...
