外腔半导体激光器是通过光栅外腔反馈方法来压窄半导体激光器线宽,它具有寿命长、线宽窄、体积小、频率稳定、可选波长范围宽等特点,可应用在科研、军工、航天领域。此产品是我公司自主研发生产的我国批外腔半导体激光器商业产品,技术先进、价格低廉,在国内具有优势,国际上水平。
波长(Wavelength) | 371nm~ 490nm 、630nm ~ 1710nm |
线宽(Linewidth) | <500kHz |
功率(Optical power) | 5 ~ 200mW |
波长粗调范围(Welength tuning range) | 3 ~ 100nm |
无跳模调谐范围(Mode-hop free tuning range) | 10 ~ 60GHz |
光束质量(Beam quality) M 2 | <1.2 |
光斑大小(Spot size) | <2mm |
发散角(Divergence angle) | <1mrad |
电流源噪声(Current source noise) | <2μA |
功率稳定性(Power stability) | <0.5%(12h) |
温控稳定度(Temperature stabillity) | <3mK |
模式(Mode) | TEM00 |
激光头(电源)尺寸(Head/electrics size) | 160×80×65mm、360×300×140mm |
可调谐倍频激光器是由基频和倍频两部分组成,其中基频部分是由外腔半导体激光器和放大器构成,运用倍频技术,从而实现通常半导体激光器难以达到的372nm-580nm单频、稳频、可调谐单模大功率输出。激光器倍频腔体部分由环形腔构成。驱动控制部分由基频光的恒流驱动和温控以及PZT的控制、倍频晶体工作温度的控制和锁腔电路组成。整套系统结构紧凑、整体性强、稳定性好、锁定时间长。可用于原子和分子光谱学、冷原子物理、量子光学、量子保密通讯等领域。 波长(Wavelength) 210nm ~ 580nm 线宽(Linewidth) <1MHz 功率(Optical power) 5 ~ 600mW 无跳模调谐范围(Mode-hop free tuning range) >15GHz 波长粗调范围(Wavelength tuning range) 2~ 10nm 短时间功率稳定性((Short-term power stability) <2% 工作模式(Mode) 连续单频 偏振状态(Polarization state) 线偏振 偏振率(polarization) 1:1000 冷却方式(Cooling) TEC制冷 锁定控制(Locking Control electronics) Hansch 自动锁腔方法,锁定时间12小时。 长时间稳定性(Stability) <5%,具体视环境而定 工作温度(Operating) 15-...