价 格: | 面议 | |
型号/规格: | DRT803/201AI | |
品牌/商标: | 兵字/bingzi(中英文) | |
包装方式: | 多件包装 | |
主要用途: | | |
适用电源类别: | | |
铁芯类型: | | |
频率特征: | | |
导线类型: | | |
安全认证类型: | |
【详细说明】
“动力星”DRT803/201A IGBT驱动变压器 DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的产品,以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯,可满足多项应用要求。 一.产品特点: ①耦合电容低,使之具有很高的抗干扰能力; ②漏感小,保证了更好的输出脉冲波形; ③无开关延时、瞬时传输功率高; ④抗电强度高,安全可靠; ⑤全封闭,机械和耐环境性能好; ⑥体积小巧,结构紧凑,外形美观,针脚穿孔式安装,使用方便。 二.使用条件: ①环境温度:-40℃~+85℃ ②相对湿度:温度为40℃时不大于90% ③大气压力:860~1060mbar(约为650~800mmHg) 三.绝缘耐热等级:F级(155℃) 四.安全特性: ①绝缘电阻:常态时大于1000MΩ ②阻燃性:符合UL94-V0级 五.各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数(典型值) ① 各参数的意义: u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。 VP—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值,持续时间60s。 ∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn(在一定频率范围内其值基本不变)。 V1—输入脉冲幅度(初级脉冲电压)。 tn—在相应的V1和FP下驱动变压器的额定传输脉宽。 V2—输出脉冲幅度(次级脉冲幅度)。 RL—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。 LP—线圈初级电感量 f=1000Hz V=0.3V LS—漏感(将次级绕组短路后测量)f=1000Hz V=1V CK—分布电容 f=1000Hz V=1V ② 外形图、安装尺寸、线圈图及主要技术参数 dzsc/18/2021/18202151.jpg
u | Vp (kV) | 初级电感 LP | 漏感 LS | 分布电容 CK | ∫udt (μV S) | V1 (V) | tn (μS) | V2 (V) | RL (Ω) | 使用频率范围 |
2:1 | 6.0 | 3.5mH | 8μH | 40pF | ≥1000 | 20 | 50 | 9 | 100 | 100Hz~50 kHz |
【详细说明】 “动力星”DRT803/301A IGBT驱动变压器 DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的产品,以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯,可满足多项应用要求。 一.产品特点: ①耦合电容低,使之具有很高的抗干扰能力; ②漏感小,保证了更好的输出脉冲波形; ③无开关延时、瞬时传输功率高; ④抗电强度高,安全可靠; ⑤全封闭,机械和耐环境性能好; ⑥体积小巧,结构紧凑,外形美观,针脚穿孔式安装,使用方便。 二.使用条件: ①环境温度:-40℃~+85℃ ②相对湿度:温度为40℃时不大于90% ③大气压力:860~1060mbar(约为650~800mmHg) 三.绝缘耐热等级:F级(155℃) 四.安全特性: ①绝缘电阻:常态时大于1000MΩ ②阻燃性:符合UL94-V0级 五.各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数(典型值) ① 各参数的意义: u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。 VP—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值,持续时间60s。 ∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn(在一定频率范围内其值基本不变)。 V1—输入脉冲幅度...
【详细说明】 “动力星”DRT802/301A IGBT驱动变压器 DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的产品,以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯,可满足多项应用要求。 一.产品特点: ①耦合电容低,使之具有很高的抗干扰能力; ②漏感小,保证了更好的输出脉冲波形; ③无开关延时、瞬时传输功率高; ④抗电强度高,安全可靠; ⑤全封闭,机械和耐环境性能好; ⑥体积小巧,结构紧凑,外形美观,针脚穿孔式安装,使用方便。 二.使用条件: ①环境温度:-40℃~+85℃ ②相对湿度:温度为40℃时不大于90% ③大气压力:860~1060mbar(约为650~800mmHg) 三.绝缘耐热等级:F级(155℃) 四.安全特性: ①绝缘电阻:常态时大于1000MΩ ②阻燃性:符合UL94-V0级 五.各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数(典型值) ① 各参数的意义: u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。 VP—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值,持续时间60s。 ∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn(在一定频率范围内其值基本不变)。 V1—输入脉冲幅度...