供应红外线接收管|红外接收管
| 价 格： | 面议 |
品牌:FINE-TECH 型号:FT 种类:光学接收器件 波段范围:远红外 运转方式:重复脉冲式 激励方式:电激励式 工作物质:半导体 光路径:反射型外光路 输出形式:NPN三极管型 传输信号:高线性型 速度:高速 通道:单通道 输出波长:940-950（nm） 线宽:50（mm）
本司有大量生产红外线接收管(光敏二极管,光敏三极管),贴片式接收管,全是用进口芯片制作,性能一流,质量保证,价格合理.
Electro-Optical Characteristics (Ta=25°C)
Parameter | Symbol | Condition | Min. | Typ. | Max. | Unit |
Reverse Voltage | VR | IR= 100mA |
|
| 5 | V |
Dark Current | ID | VR=10V, Ev =0 |
|
| 0.1 | mA |
Open Circuit Voltage | Voc | Ev=1000Lux, Ee=5.0mW/cm2*2 |
| 0.4 |
| V |
Short Circuit Current | Isc |
| 18 |
| mA | |
Curve Factor | C.F. |
| 0.55 |
|
| - |
Rise Time | tr |
|
| 6 |
| nsec |
Fall Time | tf |
|
| 6 |
| nsec |
Terminal Capacitance | Ct | f=1MHz |
| 20 |
| pF |
Peak Wavelength | lp |
|
| 940 |
| nm |
Spectral Sensitivity | l |
| 700 ~ 1000 | nm | ||
Temperature Coefficient of Voc | at |
|
| -2.2 |
| mV/ºC |
Temperature Coefficient of Isc | bt |
|
| 0.18 |
| %/ºC |
Half Angle | Dq |
|
| ±20 |
| deg. |
*2 Ev, Ee are illuminance irradiant by CIE standard light source A (tungsten lamp) at 2856K.
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 钟永红
- 电话：755-27678340
- 传真：755-27678340
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供应850NM大功率红外线发射管
信息内容：品牌:FINE-TECH 型号:5MM 种类:光学发射器件 波段范围:近红外 运转方式:连续式 激励方式:电激励式 工作物质:半导体 光路径:透过型外光路 输出形式:光敏器件型 传输信号:高线性型 速度:高速 通道:单通道 输出波长:850-940（nm） 线宽:50（mm）本司有生产大功率红外线发射管,有940NM及850NM,进口芯片制作,质量保证.Electro-optical Characteristics (Ta=25℃)ParameterSymbolTesting ConditionsMin.Typ.Max.UnitForward VoltageVFIF=100mA 1.351.65VReverse CurrentIRVR=5V 10uARadiant IntensityPoIF=20mA 30 mW/srIF=100mA 150 mW/srTerminal CapacitanceCtf=1MHz 20 pFHalf Power Beam Angle△θ ±22.5 deg.Peak Emission WavelengthλpIF=50mA 940 nmSpectral bandwidth at 50%△λIF=50mA 45 nm
供应SMD贴片1210红外线发射管
信息内容：品牌:FINE-TECH 型号:1210 种类:光学发射器件 波段范围:近红外 运转方式:重复脉冲式 激励方式:电激励式 工作物质:半导体 光路径:透过型外光路 输出形式:光敏器件型 传输信号:高线性型 速度:高速 通道:单通道 输出波长:940（nm） 线宽:50（mm）本司有SMD贴片红外线发射管,具体有0603,0805,1206,1210等三个封装贴片式,波长有850-880-940等,性能佳,质量保证,价格合理,有意者请联系.. Electro-optical Characteristics (Ta=25℃)ParameterSymbolTesting ConditionsMin.Typ.Max.UnitForward VoltageVFIF=100mA 1.351.65VReverse CurrentIRVR=5V 10uARadiant IntensityPoIF=20mA 30 mW/srIF=100mA 150 mW/srTerminal CapacitanceCtf=1MHz 20 pFHalf Power Beam Angle△θ ±22.5 deg.Peak Emission WavelengthλpIF=50mA 940 nmSpectral bandwidth at 50%△λIF=50mA 45 nm
