品牌:sj 类型:铂热电阻 型号:Pt100,Pt1000 测量范围:-100_400(℃)
薄膜铂电阻:用真空沉积的薄膜技术把铂溅射在陶瓷基片上,膜厚在2μm以内,用玻璃烧结料把Ni(或Pd)引线固定,经激光调阻制成薄膜元件。
型号 | 外型尺寸 W×L×Hmm | 标称阻值R0 | 工作电流mA | 引线尺寸 W×L×Hmm | 工作温度 oC | 误差 | 外型图 mm |
CRZ-1632-Ni | 1.6×3.2×1.0 | 100Ω | 1 | 0.25×0.15×12 | -40~450 |
1/3DIN A B 2B
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CRZ-1632-Pd | 0.3×0.2×10 | -50~500 | |||||
CRZ-2005-Ni | 2.0×5.0×1.0 | 2 | 0.25×0.15×12 | -40~450 | |||
CRZ-2005-Pd | 0.3×0.2×10 | -50~500 | |||||
CRZ-2005-Ni | 500Ω 1000Ω | 0.5 | 0.25×0.15×12 | -40~450 | |||
CRZ-2005-Pd | 0.5 | 0.3×0.2×10 | -50~500 | ||||
ST-1003-Pt | 1.0×3.0×1.3 | 20Ω | 1 | 0.25×0.15×12 | -50~500 |
铂电阻元件工作原理 物质的电阻率随温度的变化而变化的现象称为热电阻效应厂当温度变化时,导体或半导体的电阻值会随温度变化,对金属来说,温度上升时,其电阻值将增大。这样,在一定温度范围内,可以通过测量电阻值变化而得知温度的变化。铂电阻元件就是利用铂金属材料在温度变化时其电阻值也随着变化的特性来测温的。 铂电阻元件的电阻与温度之目的关系近似线性,其特性方程如下: 当温度t在-200℃~O℃范围内时, Rt=R0[1 At Bt2 Ct3(t-100)] 当温度t在O℃~850℃范围内时, Rt=R0(1 At Bt2) 式中:Rt——铂电阻元件在温度t时的电阻值; Ro——铂电阻元件在o℃时的电阻值; A、B、C——分度常数; t——被测介质温度。利用铂电阻元件的特性方程式,每隔1℃求取一个相应的Rt值,便可得到铂电阻元件的分度表。这样在实际测量中,只要测得铂电阻元件的阻值Rt,便可从分度表中查出对应的温度值。
一,西门子IGBT;600V IGBT模块 BSM50GB60DLC BSM75GB60DLC BSM100GB60DLC BSM150GB60DLC BSM200GB60DLC BSM300GB60DLC FF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3 FF200R06ME3 FF300R06ME3 FF400R06ME3 FF450R06ME3 FF600R06ME3 二,西门子IGBT;1200VIGBT模块单管(1单元) FZ900R12KE4 FZ900R12KP4 FZ3600R12HP4 FZ2400R12HP4_B9 BSM200GA120DLC BSM200GA120DLCS BSM200GA120DN2 BSM200GA120DN2C BSM200GA120DN2S BSM300GA120DLC BSM300GA120DLCS BSM300GA120DN2 BSM300GA120DN2S BSM400GA120DLC BSM400GA120DLCS BSM400GA120DN2 BSM400GA120DN2S BSM600GA120DLC BSM600GA120DLCS FZ300R12KE3B1G FZ300R12KE3G FZ400R12KE3 FZ400R12KE3_B1 FZ400R12KS4 FZ600R12KE3 FZ600R12KE3_B1 FZ600R12KS4 FZ800R12KE3 FZ800R12KF4 FZ800R12KL4C FZ800R12KS4_B2 FZ1050R12KF4 FZ1200R12KE3 FZ1200R12KF4 FZ1200R12KL4C FZ1600R12KE3 FZ1600R12KF4 FZ1600R12KL4C FZ1800R12KF4 FZ1800R12KL4C FZ2400R12KE3 ...