让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>单光束反射取样式光电传感器ST188

单光束反射取样式光电传感器ST188

价 格: 面议

品牌:国产 型号:ST188 种类:光电 制作工艺:集成 输出信号:模拟型

一、特点
1.采用高发射功率红外光电二极管和高灵敏度光电晶体管组成。
2.检测距离可调整范围大,4-13mm可用。
3.采用非接触检测方式。

二、应用范围
1.IC卡电度表脉冲数据采样。
2.集中抄表系统数据采集。
3.传真机纸张检测。
4.与本公司的方向判别电路ST288A结合使用可判别被测物的运动方向及正反转速测量、
行程测量等。

极限参数 (Ta=25℃)

项目

符号

数值

单位

正向电流

IF

50

mA

反向电压

Vr

6

V

耗散功率

P

75

mW

输出

集-射电压

Vceo

25

V

射-集电压

Veco

6

V

集电极功耗

Pc

50

mW

工作温度

Topr

-20∽65

储存温度

Tstg

-30∽75


注:引脚顺序的标识方法,以顶端有斜边起分别为 A,K,E,C 的顺序排列。
不能以印刷字符面为识别标记。

光电特性 (Ta=25℃)

项 目

符号

测试条件

最小

典型

单位

输入

正向压降

VF

IF=20mA

-

1.25

1.5

V

反向电流

IR

VR=3V

-

-

10

μA

输出

集电极暗电流

Iceo

Vce=20V

-

-

1

μA

集电极亮电流

IL

Vce=15V

IF=8 mA

H1

0.30

-

-

mA

H2

0.40

-

-

mA

H3

0.50

-

-

mA

饱和压降

VCE

IF=8mA Ic=0.5 mA

-

-

0.4

V

传输

特性

响应时间

Tr

IF=20mA Vce=10V

IRc=100Ω

-

5

-

μs

Tf

-

注:集电极亮电流IL、饱和压降VCE、响应时间是在红外光电传感器前端面与亮检测面距离8mm处测得,

其数值受亮检测面的表面光洁度及平整度影响。

西安骊创电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:陕西 西安
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 李引娣
  • 电话:029-88259015
  • 传真:029-88259015
  • 手机:
  • QQ :
公司相关产品

单光束反射取样式光电传感器ST148

信息内容:

品牌:国产 型号:ST148 种类:光电 制作工艺:集成 输出信号:模拟型一、特点1.采用高发射功率红外光电二极管和高灵敏度光电晶体管组成。2.检测距离焦点为3.5mm。3.采用非接触检测方式。二、应用范围1.IC卡电度表脉冲数据采样2.集中抄表系统数据采集3.水表数据采集4.与本厂的方向判别电路ST288A结合使用可判别被测物的运动方向及正反转速测量、行程测量等。极限参数 (Ta=25℃)项目符号数值单位输入正向电流IF50mA反向电压Vr6V耗散功率P75mW输出集-射电压Vceo25V射-集电压Veco6V集电极功耗Pc50mW工作温度Topr-20∽65℃储存温度Tstg-30∽75℃ 内部电路示意光电特性 (Ta=25℃)项 目符号测试条件最小典型单位输入正向压降VFIF=20mA-1.251.5V反向电流IRVR=3V--10μA输出集电极暗电流IceoVce=20V--1μA集电极亮电流IL Vce=15V IF=8 mA0.40--mA饱和压降VCEIF=8mA Ic=0.5 mA--0.4V传输特性响应时间TrIF=20mA Vce=10V IRc=100Ω-5-μsTf-5-μs注:集电极亮电流IL、饱和压降VCE、响应时间是在红外光电传感器前端面与亮检测面距离4mm处测得,其数值受亮检测面的表面光洁度及平整度影响。

详细内容>>

单光束反射取样式光电传感器ST198

信息内容:

品牌:国产 型号:ST198 种类:光电 制作工艺:集成 输出信号:模拟型一、特点1.采用高发射功率红外光电二极管和高灵敏度光电晶体管组成。2.检测距离可调整范围大,2-10mm可用。3.采用非接触检测方式。二、应用范围1.IC卡电度表脉冲数据采样2.集中抄表系统数据采集3.传真机纸张检测;位置检测等4.与本厂的方向判别电路ST288A结合使用可判别被测物的运动方向及正反转速测量、行程测量等。极限参数 (Ta=25℃)项 目符号数值单位输入正向电流 IF 50 mA反向电压 Vr 6 V耗散功率 P 75 mW输出集-射电压Vceo 25 V射-集电压Veco 6 V集电极功耗 Pc 50 mW 工作温度Topr-20∽65 ℃ 储存温度Tstg-30∽75 ℃底示图 内部电路示意光电特性 (Ta=25℃)项 目符号测试条件最小典型单位输入正向压降VFIF=20mA-1.251.5V反向电流IRVR=3V--10μA输出集电极暗电流IceoVce=20V--1μA集电极亮电流IL Vce=15VIF=8 mAL30.30--mAL40.40--mAL50.50--mA饱和压降VCEIF=8mA Ic=0.5 mA--0.4V传输特性响应时间TrIF=20mA Vce=10V IRc=100Ω-5-μsTf-5-μs注:集电极亮电流IL、饱和压降VCE 、响应时间是在红外光电传感器前端面与亮检测面距离...

详细内容>>

相关产品