AO3400 优势现货供应贴片 场效应 MOS管
| 价 格： | 49.00 |
品牌:AO 型号:AO3400 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:12（V） 夹断电压:30（V） 低频跨导:300（μS） 漏极电流:2800（mA）
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深圳市阔元电子有限公司
30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V N沟道增强型 MOS 管
VDS= 30V
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深圳市福田区华强北新亚洲电子商城二期N2B232柜和N1B250柜
翁苏铃 QQ 991882375 电话 0755-82539398 手机 13760455447
主营小功效场效应管（台湾原装进口品牌）：
2300,2301,2302,2305,2312,3400,3401,3407,
4410,4430,4435,4501,4503,4946,4953,
DW01+,8205A,8205S,8810,8822,9435,9926A,
KP1500-ADJ,KP1504-ADJ,KP1510-ADJ,KP1512-ADJ
型号繁多，未能尽录
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优势供应原装贴片3400 场效应管 MOS管
信息内容：品牌/商标 AO 型号/规格 3400 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 12（V） 夹断电压 30（V） 漏极电流 2800（mA）
AO8822 现货优势供应原装贴片 场效应 MOS
信息内容：品牌/商标 AO 型号/规格 AO8822 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 12（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 7000（mA） dzsc/18/7057/18705737.jpg深圳市阔元电子有限公司20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管 VDS= 20VRDS(ON),Vgs@1.8V,Ids@2A = 50mΩRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@5.5A= 32mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@6.6A= 24mΩ深圳市福田区 华强北中航路佳和华强大厦五楼5C066室翁苏铃 QQ 991882375 电话 0755-82539398 手机 13760455447主营小功效场效应管（台湾原装进口品牌）：2300,2301,2302,2305,2312,3400...
