品牌:HITTITE 型号:HMC517LC4 批号:0915+ 封装:SMT 营销方式:库存 产品性质:热销 处理信号:数模混合信号 制作工艺:半导体集成 集成程度:大规模 规格尺寸:4x4(mm) 工作温度:-40~85(℃)
Hittite的低噪声放大器适用于9?26GHz频率范围:Hittite Microwave公司宣布推出两款符合RoHS标准的SMT低噪声放大器(LNA)――HMC516LC5和HMC517LC4.这两款放大器可由浩时健电子提供。
Hittite Microwave公司宣布推出两款符合RoHS标准的SMT低噪声放大器(LNA)――HMC516LC5和HMC517LC4。新器件适用于9-26GHz微波无线电、测试和传感设备。这两款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器主要面向需要低噪声前端设备,同时还要求其能提供足够的输出功率驱动混频器LO或用作通用缓冲放大器的微波无线电设计。这些LNA器件的噪声仅为1.9dB,并能提供高达20dB的增益和+17dBm的Psat。其中,HMC516LC5的额定工作频率为9-18GHz,采用5×5mm无铅SMT封装,而HMC517LC4的额定工作频率为17-26GHz,采用4×4mm无铅SMT封装。这两种LNA器件的工作电压均为3V,消耗电流65?68mA。
The HMC517LC4 chip is a high dynamic range GaAs PHEMT MMIC Low Noise Amplifier (LNA) housed in a leadless “Pb free” RoHS compliant SMT package. The HMC517LC4 provides 19 dB of small signal gain, 2.5 dB of noise figure and has an output IP3 of +23 dBm. The P1dB output power of +13 dBm enables the LNA to also function as a LO driver for balanced, I/Q or image reject mixers. The HMC517LC4 allows the use of surface mount manufacturing techniques
Features• Noise Figure: 2.5 dB• Gain: 19 dB • OIP3: +23 dBm • Single Supply: +3V @ 67 mA • 50 Ohm Matched Input/Output • RoHS Compliant 4x4 mm Package | Typical Applications• Point-to-Point Radios | Functional Diagramdzsc/18/1905/18190554.jpg |
深圳浩时健电子长期供应Hittite的放大器、衰减器、鉴相器、分频器、倍频器、混频器、调制器、模拟移相器、功率检测器、射频开关、压控振荡器VCO、PLOs和微波模块在通信及工业应用领域的突出表现,为客户在研发设计中提供更多的机会。
HMC489LP5 | 12-16GHz 贴片PHEMT1W功率放大器 |
HMC490LP5 | 12-16GHz 低噪声高IP3放大器 |
HMC491LP3 | 3.4-3.8GHz 低噪声放大器w/支路模式 |
HMC498LC4 | 17-24GHz 中功率放大器 |
HMC499LC4 | 21-32GHz 中功率放大器 |
HMC516LC5 | 9-18GHz 低噪声放大器 |
HMC517LC4 | 17-26GHz 低噪声放大器 |
HMC210MS8 | 1.5-2.3GHz 电压易变衰减器 |
应用范围:功率 品牌:OMRON/欧姆龙 型号:G5SB-14 12VDC 产品系列:3RH14 触点形式:转换型 额定电压:AC115(V) 电流性质:交流 外形:中型 功率负载:小功率 防护特征:封闭式 直流电阻:标准(Ω) 吸合电流:标准(A) 释放电流:标准(A) 线圈功率:标准(W) 额定工作频率:标准(Hz)浩时健电子供应欧姆龙G5SB-14 DC12V/24V功率继电器 1极5A开闭的小型继电器,无铅化产品。 小型1c接点继电器,可做到5A开闭(N.O.接点)小型继电器,但可以确保8kV。线圈接点间)的耐冲击电压标准品取得UL、CSA、VDE认证。供应型号:G5SB-14 DC12VG5SB-14 DC24V接触机构 单接点材质 Ag合金(无Cd材料)额定通电电流 5A(N.O.)/3A(N.C.)接点电压的值 AC250V、DC30V接点电流的值 5A(N.O.)/3A(N.C.)接触电阻*1 100mΩ以下动作时间 10ms以下复位时间 5ms以下绝缘电阻*2 1,000MΩ以上耐压 线圈与接点间 AC4,000V 50/60Hz 1min同极接点间 AC1,000V 50/60Hz 1min耐冲击电压 线圈与接点间 8kV (1.2×50μs)振动 耐久 10~55~10Hz 单振幅0.75mm(双振幅1.5mm)误动作 10~55~10Hz 单振幅0.75mm(双振幅1.5mm)冲击 耐久 1,000m/s2误动作 100m/s2耐久性 机械 500万次 开关...
品牌:HITTITE 型号:HMC313 HMC313E 批号:0911+ 封装:SOT26 营销方式:现货 产品性质:热销 处理信号:数模混合信号 制作工艺:混合集成 工作温度:-40~85(℃)讯泰微波(Hittite Microwave)公司成立于1985年,设计并生产射频、微波应用领域的模拟/数字IC, MIC集成模块(可覆盖DC110GHz频率范围)以及仪器设备。Hittite的RFIC/MMIC产品则利用MESFET、PHEMT、HBT设计,应用GaAsInGaP/GaAs、InP、SOI、SiGe半导体加工过程中。Hittite为满足特殊需要整合多种功能,同时提供高集成IC、MCM以及其它低集成混合电路。Hittite采用主流的半导体与封装技术、独特的数字/射频平衡综合技术,为客户提供经济实惠、操作便捷的产品。 深圳浩时健电子长期供应Hittite的放大器、衰减器、鉴相器、分频器、倍频器、混频器、调制器、模拟移相器、功率检测器、射频开关、压控振荡器VCO、PLOs和微波模块在通信及工业应用领域的突出表现,为客户在研发设计中提供更多的机会。每年,Hittite都不断的突破新技术壁垒,应用新技术开发生产大量的MMIC产品和测试仪器设备。 The HMC313(E) is a GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC amplifier that operates from a single Vcc supply....