供应CT抗干扰规电容 安规电容器X1 604K300VAC
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 604K300VAC | |
| 品牌/商标： | CT | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 产品主要用途： | 普通/民用电子信息产品 | |
| 引出线类型： | 径向引线型 | |
| 特征： | 方型 | |
| 标称容量范围： | 0.6uf | |
| 额定电压范围： | V | |
| 温度系数范围： | ℃ |
X1 300VAC
類別 金屬化聚丙烯薄膜電容器
特點
．抑制干擾，有九個國家的安全標準規格合格認證
．能承受過壓衝擊
．具有優越的自愈性 ．積極和消極阻燃防火功能
用途
．線間旁路，天線耦合，線間跨接和電花消制回路
．有效電磁濾波 ．開關電源等各種電路中抑制開關瞬間的湧浪大電流 ．事務機..Ex.打字機、計算機、電腦顯示器和監視器 ．家用電氣用 品..Ex.攪拌器、電風扇、咖啡研磨機、音響和電視電路中。
．閘流體和控制器裝置..Ex.調光器。
規格
介質 聚丙烯薄膜
電極 真空蒸金屬
包封 阻燃防火塑膠殼並以環氧樹脂灌封(UL94V-0)
導線 徑向鍍錫導線
氣候類別 40 / 100 / 21
靜電容量與額定電壓 250V / 300V.AC,(50/60Hz) 0.0047uF ~ 10uF
靜電容量誤差 J = ± 5%K = ±10%M = ± 20%
散逸因素(損耗角正切) ≦0.1% at 1KHz and 20℃ ≦0.3% at 10KHz and 20℃
耐電壓 T-T 1200V.AC 60Hz or 2200V.DC 1 Sec. T-C 2200V.AC 60Hz 60 Sec.
絕緣電 阻 C≦0.33uFIR≧30,000MΩ C＞0.33uFIR≧10,000MΩ / uF
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 何夏铃
- 电话：0755-82555632
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供应CT抗干扰规电容 安规电容器X1 474K300VAC
信息内容：X1 300VAC 類別 金屬化聚丙烯薄膜電容器 特點 ．抑制干擾，有九個國家的安全標準規格合格認證 ．能承受過壓衝擊 ．具有優越的自愈性 ．積極和消極阻燃防火功能 用途 ．線間旁路，天線耦合，線間跨接和電花消制回路 ．有效電磁濾波 ．開關電源等各種電路中抑制開關瞬間的湧浪大電流 ．事務機..Ex.打字機、計算機、電腦顯示器和監視器 ．家用電氣用 品..Ex.攪拌器、電風扇、咖啡研磨機、音響和電視電路中。 ．閘流體和控制器裝置..Ex.調光器。 規格 介質 聚丙烯薄膜 電極 真空蒸金屬 包封 阻燃防火塑膠殼並以環氧樹脂灌封(UL94V-0) 導線 徑向鍍錫導線 氣候類別 40 / 100 / 21 靜電容量與額定電壓 250V / 300V.AC,(50/60Hz) 0.0047uF ~ 10uF 靜電容量誤差 J = ± 5%K = ±10%M = ± 20% 散逸因素(損耗角正切) ≦0.1% at 1KHz and 20℃ ≦0.3% at 10KHz and 20℃ 耐電壓 T-T 1200V.AC 60Hz or 2200V.DC 1 Sec. T-C 2200V.AC 60Hz 60 Sec. 絕緣電 阻 C≦0.33uFIR≧30,000MΩ C＞0.33uFIR≧10,000MΩ / uF
供应CT抗干扰规电容 安规电容器X1 394K300VAC
信息内容：X1 300VAC 類別 金屬化聚丙烯薄膜電容器 特點 ．抑制干擾，有九個國家的安全標準規格合格認證 ．能承受過壓衝擊 ．具有優越的自愈性 ．積極和消極阻燃防火功能 用途 ．線間旁路，天線耦合，線間跨接和電花消制回路 ．有效電磁濾波 ．開關電源等各種電路中抑制開關瞬間的湧浪大電流 ．事務機..Ex.打字機、計算機、電腦顯示器和監視器 ．家用電氣用 品..Ex.攪拌器、電風扇、咖啡研磨機、音響和電視電路中。 ．閘流體和控制器裝置..Ex.調光器。 規格 介質 聚丙烯薄膜 電極 真空蒸金屬 包封 阻燃防火塑膠殼並以環氧樹脂灌封(UL94V-0) 導線 徑向鍍錫導線 氣候類別 40 / 100 / 21 靜電容量與額定電壓 250V / 300V.AC,(50/60Hz) 0.0047uF ~ 10uF 靜電容量誤差 J = ± 5%K = ±10%M = ± 20% 散逸因素(損耗角正切) ≦0.1% at 1KHz and 20℃ ≦0.3% at 10KHz and 20℃ 耐電壓 T-T 1200V.AC 60Hz or 2200V.DC 1 Sec. T-C 2200V.AC 60Hz 60 Sec. 絕緣電 阻 C≦0.33uFIR≧30,000MΩ C＞0.33uFIR≧10,000MΩ / uF
