PDC代理供应贴片式多层陶瓷电容器     高压电容    中压100V-1KV:   高压电容主要是依据一般常用及国际标准进行设计与生产   产品适用于一般性及工业性应用,温度特性包括COG(NPO)及X7R,尺寸从0603至2225电压   从100V至1KV    特性:     特殊内电极设计以提供高额定电压     贴片式的设计可适用于波峰焊及回流焊流程     高可靠性     符合ROHS规范    应用:     适用于LAN/WLAN界面,背光逆变器,DC-DC转换器,电子安定器,调解器及电源供应电路.    规格概要:     工作温度范围: -55～125℃     额定电压: 100VDC～1000VDC     温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I）               X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）     容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF     损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%     绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者最小值     老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间     介质电耐电压： 100V ≤ V ＜500V  :200%额定电压                    500V ≤ V ＜1000V :150%额定电压                    1000v≤ V         :120%额定电压    高压(2KV):   此系列供应的电容温度特性包含COG（NPO),SL及X7R,尺寸从1206至2220,除可通过一般DWV测试   外，亦可通过1500VAC或2250VDC Hi-Pot测试。   特性：    LAN界面应用，可符合通讯标准(IEEE802.3)    可选用加工批覆层防止跳火以通过Hi-Pot 测试    贴片式的设计可适用于波峰焊及回流焊制程    特殊内电极设计以提供高额定电压    符合RoHS 规范   应用:    适用于通讯设备之LAN界面    电子安定器(BALLASTER)及    背光板逆变器(INVERTER)之应用电路   規格慨要:    工作温度范围:-55~+125 ℃    额定电压: 2KVdc    溫度特性: NPO : ≤ ± 30ppm/ ℃ , -55~+125 ℃ (EIA Class Ι )              SL  : ≤ +350/-1000 ppm/ ℃ , -25~+85 ℃ (EIA Class Ι )              X7R : ≤ ± 15% , -55~+125 ℃ (EIA Class Ⅱ )    容量范围: NPO :2pF to 470pF ; SL : 220pF to 1000pF ; X7R :150pF to 10nF    损耗角正切( tanδ): NPO : Q≧1000 ; X7R : D.F.≦2.5%    ?绝缘电阻: 10GΩ 或500/C Ω取两者最小值    老化速率: NPO: 0%一个decade 时间               SL: 1.5%一个decade 时间              X7R: 2.5%一个decade时间    介电耐电压:120%额定电压    超高压(3KV-5KV):   特性:    柔性端头(Superterm) 防止机械性裂缝    特殊内电极设计以提供高额定电压    贴片式的设计可适用于波峰焊及回流焊制程    高可靠性    符合RoHS 规范   应用:    适用于LCD 背光逆变器(inverter) ,    DC-DC 转换器(converters), 调解器及电源供应   规格概要:    工作温度范围:-55~+125 ℃    额定电压：3KVdc to 5KVdc    ?溫度特性：NPO : ≤ ± 30ppm/ ℃ , -55~+125 ℃ (EIA Class Ι )              SL : ≤ +350/-1000 ppm/ ℃ , -25~+85 ℃ (EIA Class Ι )              X7R : ≤ ± 15% , -55~+125 ℃ (EIA Class Ⅱ )    容量范围: NPO :2pF to 1.0nF ; SL : 220pF to 1000pF ; X7R :150pF to 2.7nF    损失角正切( tanδ) NPO : Q≧1000 ; X7R : D.F.≦2.5%    绝缘电阻:10GΩ 或500/C Ω取两者最小值    老化速率:NPO: 0%一个decade 时间             SL: 1.5 %一个decade 时间             X7R: 2.5 %一个decade 时间    介质耐电压:120%额定电压
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信昌电子陶瓷成立於1990年，為国内少数能自行供给瓷粉原料并同时销售积层陶瓷电容的被动元件厂商，更是有能力由上游初发原料，向下垂直整合至被动晶片元件的厂商。2005年信昌电子陶瓷与华新集团进行策略联盟，2008年信昌电子正式合併弘电电子，将销售范围从介电瓷粉、半导性陶瓷电容器瓷片、积层陶瓷电容、晶片电阻延伸到半导体与线圈的產品线。 信昌公司研发精密陶瓷的歷史可以追溯至 1983 年，当时母公司有鉴于精密陶瓷行业的发展潜力，斥资成立精密陶瓷研发中心，从事相关產品之研发开发。 1988 年将介电瓷粉研发成果，以成立台湾精密材料公司方式量產上市。1990 年，併购美大美公司，改名信昌电子陶瓷股份有限公司，并开始產销积层陶瓷电容器。 1995 年信昌电子陶瓷购併台湾精密材料公司。迄今已累积了丰富的技术经验，并成功的发展出一系列涵括电子材料及元件的精密陶瓷產品，行销全球并深获顾客好评。 由於掌握有关键性材料的技术利基，信昌公司可以配合市场需求，由材料的研发著手，向下整合开发客户所需要的电子元件，缩短电子元件量產时效，拉开与竞争者的同值性，避免同业间的恶性杀价竞争，以扎实的產品差异化能力為基础，使行销策略的差异化更能落实且屹立不摇，以获得稳健的差异化產品策略及行销策略的利润。 為了根留台湾及迴避晶片元件一般品长期处於供过於求的低价竞争的衝击， 信昌 公司积层陶瓷电容器 （ 晶片电容器 ） 、晶片电阻器积极规划朝高附加价值的零件功能领域迈进，以本身掌握材料及製程的关键性技术，展开差异化的规划，如：中高压、高精度、大尺寸之晶片电容器及高功率、高精度与低阻值之晶片电阻器等高附加价值的產品。 未来更将结合材料之核心技术，迈向高频及高容领域进军，目前信昌 公司贵金属製程及卑金属製程 （BME） 用的晶片电容器介电瓷粉已次第开发完成，朝量產自用与对外销售并行展开。届时将可 提升国内高阶之积层电容瓷粉原料自主供应之比率 ，藉由原料往下游整合至晶片电容器成品的延伸策略，再度发挥上下垂直整合的高度营运绩效