2SC2482 直插三极管 大功率 高频 开关三
| 价 格： | 1.00 |
品牌:slt 型号:2SC2482 应用范围:开关 功率特性:大功率 频率特性:高频 极性:PNP型 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 截止频率fT:50（MHz） 集电极允许电流ICM:0.1（A） 集电极耗散功率PCM:900（W） 营销方式:厂家直销
供应2SC2482，ＢＦ４２２，ＢＦ４２３，特长产品,特惠价供货.有意者请联系！可提供样品！ 价格详谈！
本公司长期供应三极管的主要产品有：
TO92L（2SA928、2SC2328，2SB892，2SA966、2SA1020、2SA1013、SC2482、2SC2655、2SC2383、2SC2236
）：
TO92（2SC1815Y/GR、2SA1015Y/GR,2SA733P，2SC388，2SC1674，8550，8050，9014，9015，A42，A92，
A44
TO-126（2SB772、2SD882,2SC2688,）；
TO-220（7805、7808、7812,TIP31、TIP32、TIP41、TIP42、TIP122、TIP127,2SD880；
9012、9013、9014C、9015C、9018G；
A42、A92、A44、A94
8050、8550、S8050、S8550，
１Ｎ６０，２Ｎ６０，３Ｎ６０，４Ｎ６０，６Ｎ６０，８Ｎ６０，１０Ｎ６０，ＩＲＦ６３０，ＩＲＦ
６４０，ＩＲＦ６３４，ＩＲＦ７３０，ＩＲＦ７４０，ＩＲＦ８３０，ＩＲＦ８４０，等，质量，
价格优惠，欢迎广大用户选用。
- 所属城市：广东 佛山
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- 联系人： 李军富
- 电话：757-82723898
- 传真：757-82723898
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供应ＭＯＳ三极管,贴片场效应三极管 1N60
信息内容：品牌:SLT 型号:1N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:4（V） 漏极电流:4000（mA） 耗散功率:3000（mW）我公司采用进口芯片，自己封装ＴＯ－２５１，ＴＯ－２５２场效应三极管．质量可靠，价格合理，希望为电脑，手机用户提供优质服务． 概述与特点2N60型MOS晶体管，主要用于线性放大、功率开关。其特点如下：● 开关速度快● 通态电阻低● 可并联使用● 驱动简单● 封装形式：TO-92 2.电特性2.1极限值除非另有规定，Tamb= 25℃ 参数名称符号额定值单位漏源反向电压VDS600V连续漏极电流ID1.0A脉冲漏极电流IDM4.0A栅源电压VGS±30V单脉冲能量EAS20mJ雪崩电流IAR1.2A热阻（结到壳）RθJC50℃/W热阻（结到环境）RθJA140耗散功率PDt3W结温Tj150℃贮存温度Tstg-55～150℃ 2.2电参数 引脚: 1. G 2. D 3. S除非另有规定，Tamb= 25℃参数名称符号测试条件规范值单位最小典型漏源反向电压VDSVGS=0V, ID=250 uA600 V通态电阻RDSONVDS=10V, ID=0.5A 10Ω栅极阈值电压VGS(TH)VDS= VGS, ID=250u...
13001（0.66）三极管 大功率 开关三极管
信息内容：品牌:slt 型号:13001 应用范围:放大 功率特性:大功率 频率特性:中频 极性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:TO-92 封装材料:塑料封装 特征频率:5（MHz） 集电极允许电流:0.3（A） 集电极允许耗散功率:10（W） 营销方式:厂家直销 产品性质:热销MJE13001 (0.66*0.66) 硅NPN半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途: 主要用于节能灯电路 Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications, 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) TO-92 单位:mm 参数符号Symbol数值Rating单位UnitVCBO550VVCEO400VVEBO9.0VIC0.15APC(Ta=25℃)0.4WTj150℃Tstg-55~150℃ 电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 引脚: 1. B 2.C 3.E 参数符号Symbol测试条件Test condition数值Rating单位Unit最小值Min典型值Typ值MaxICBOVCB=550V IE=0 10μAIEBOVEB=9.0V IC=0 10μAhFEVCE=5V IC=20mA10 40 VCE(sat)IC=50mA IB=10mA 1.2VVBE(sat)IC=50mA IB=10mA 1.5VfTVCE=10V IC=50mA f=1.0MHZ5.0 MHZtSIC=100mA ...
