三极管SEBC847BU 数字三极管
| 价 格： | 0.30 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SEBC847BU |
| 应用范围 | 功率 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 超高频 | 极性 | NPN型 |
| 结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 截止频率fT | 1（MHz） | 集电极允许电流ICM | 1（A） |
| 集电极耗散功率PCM | 1（W） | 营销方式 | 厂家直销 |
| 产品性质 | 热销 |
- 所属城市：上海 上海市
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SE7401U P沟道MOS管 SINO-IC
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE7401U 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SP/特殊外形 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 8（V） 夹断电压 20（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 2.2（mA） 耗散功率 1（mW）
场效应管SE8810A 双N沟道 MOS管 P沟道MOS管
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE8810A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 12（V） 夹断电压 20（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 7000（mA） 耗散功率 1（mW）
